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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107525406A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201710826809.3(22)申请日2017.09.14(71)申请人华侨大学地址362000福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号(72)发明人刘卓贺琦琦穆德魁廖信江陈金昶冯魁元(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204代理人张松亭(51)Int.Cl.F27B17/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种管式炉系统(57)摘要本发明公开了一种管式炉系统,包括依次连接的工作管、变径管和四通管,所述工作管一端密封,另一端通过所述变径管和所述四通管相连接,所述工作管、变径管和四通管形成的通路包括两条支路,其特征在于:所述一条支路为稀有气体通路,所述稀有气体通路包括依次连接的第一挡板控制阀、第一波纹管和稀有保护气体罐;所述另一条支路为真空通路,所述真空通路包括依次连接的第二挡板控制阀、第二波纹管、控制系统、双极选片真空泵和分子泵;本发明的管式炉系统,气密性良好,气压控制精确,可自动控制,操作简便,可极大提高系统控制的精度和实验的重复性,特别适合用于钎焊材料等高温易氧化材料的高温通保护气体焊接或者超低真空度焊接。CN107525406ACN107525406A权利要求书1/1页1.一种管式炉系统,包括依次连接的工作管、变径管和四通管,所述工作管一端密封,另一端通过所述变径管和所述四通管相连接,所述工作管、变径管和四通管形成的通路包括两条支路,其特征在于:所述一条支路为稀有气体通路,所述稀有气体通路包括依次连接的第一挡板控制阀、第一波纹管和稀有保护气体罐;所述另一条支路为真空通路,所述真空通路包括依次连接的第二挡板控制阀、第二波纹管、控制系统、双极选片真空泵和分子泵。2.根据权利要求1所述的一种管式炉系统,其特征在于:还包括放气阀和气压计,所述气压计通过所述放气阀连接于所述四通管。3.根据权利要求2所述的一种管式炉系统,其特征在于:所述工作管、四通管、放气阀、第一波纹管、第二波纹管、第一挡板控制阀和第二挡板控制阀的接头均为KF25的真空法兰接头,所述接头接口内径为20-40毫米,所述接头采用卡箍紧箍。4.根据权利要求1所述的一种管式炉系统,其特征在于:所述变径管的接头为KF16-KF25或KF25-KF40的真空法兰接头,所述接头接口内径为16-25毫米或25-40毫米,所述接头采用卡箍紧箍。5.根据权利要求1所述的一种管式炉系统,其特征在于:所述工作管为石英玻璃管。2CN107525406A说明书1/3页一种管式炉系统技术领域[0001]本发明属于材料制备和气氛热处理的装置领域,尤其涉及一种管式炉系统。背景技术[0002]管式炉系统在纳米材料制备,金刚石等材料钎焊等领域被广泛使用。真空或者通保护气体的两通路管式炉系统是物理气相沉积和化学气相沉积制备纳米材料最常用的设备之一,近年来由于金刚石等钎焊相关材料的大力研究,更加需要超低真空度的,稳定性高,密封性好,调节精确的新型真空或者通保护气体的两通路管式炉系统。[0003]现有的技术主要采用两类不同的抽气通道,一类以标准的KF16或KF25通径,通常用于高真空的条件,在低空控制精度较差,另一类以塑料管道连接,只能达到较低的真空度。而在钎焊的实际应用中这两种设备都不能满足要求,材料都会发生氧化。发明内容[0004]本发明提供了一种管式炉系统,其克服了背景技术中存在的不足,本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:[0005]一种管式炉系统,包括依次连接的工作管、变径管和四通管,所述工作管一端密封,另一端通过所述变径管和所述四通管相连接,所述工作管、变径管和四通管形成的通路包括两条支路,所述一条支路为稀有气体通路,所述稀有气体通路包括依次连接的第一挡板控制阀、第一波纹管和稀有保护气体罐;所述另一条支路为真空通路,所述真空通路包括依次连接的第二挡板控制阀、第二波纹管、控制系统、双极选片真空泵和分子泵。[0006]一较佳实施例中:还包括放气阀和气压计,所述气压计通过所述放气阀连接于所述四通管。[0007]一较佳实施例中:所述工作管、四通管、放气阀、第一波纹管、第二波纹管、第一挡板控制阀和第二挡板控制阀的接头均为KF25的真空法兰接头,所述接头接口内径为20-40毫米,所述接头采用卡箍紧箍。[0008]一较佳实施例中:所述变径管的接头为KF16-KF25或KF25-KF40的真空法兰接头,所述接头接口内径为16-25毫米或25-40毫米,所述接头采用卡箍紧箍。[0009]一较佳实施例中:所述工作管为石英玻璃管。[0010]相比于现有技术,本发明的有益效果是:[0011]1、本发明的管式炉系统可