一种改善流场均匀性的装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107699866A(43)申请公布日2018.02.16(21)申请号201711132312.8(22)申请日2017.11.15(71)申请人西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司地址710065陕西省西安市高新区丈八一路汇鑫IBC-A座808(72)发明人张晰李建章王义洪王鹏姜伟光成来飞(74)专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司61211代理人杨引雪(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种改善流场均匀性的装置(57)摘要本发明具体涉及一种应用于CVD/CVI沉积炉中改善流场均匀性的装置，主要解决现有CVD/CVI沉积过程中流场不均匀的问题。该装置包括壳体、缓冲隔板、底层挡板、气体缓冲区和气体预热分配区；壳体包括外层筒体和进气盖板，进气盖板设置在外层筒体的顶部；缓冲隔板设置在外层筒体的腔体内，底层挡板设置在外层筒体的底部；缓冲隔板将进气盖板和底层挡板之间的腔体分为两个区域，分别为气体缓冲区和气体预热分配区，缓冲隔板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，底层挡板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔；本发明能够很好地控制进入沉积炉反应区气体的流动状态和均匀性，对沉积效果有明显改善。CN107699866ACN107699866A权利要求书1/1页1.一种改善流场均匀性的装置，其特征在于：包括壳体(6)、缓冲隔板(2)、底层挡板(3)、气体缓冲区(4)和气体预热分配区(5)；所述壳体(6)包括外层筒体(62)和进气盖板(61)，所述进气盖板(61)设置在外层筒体(62)的顶部，且中心设置有进气孔；所述缓冲隔板(2)设置在外层筒体(62)的腔体内；所述底层挡板(3)设置在外层筒体(62)的底部；所述缓冲隔板(2)将进气盖板(61)和底层挡板(3)之间的腔体分为两个区域，缓冲隔板(2)和进气盖板(61)之间的腔体为气体缓冲区(4)，用于气体进入后进行缓冲；缓冲隔板(2)和底层挡板(3)之间的腔体为气体预热分配区(5)，用于为进入反应区的反应气体进行充分预热和混合；所述缓冲隔板(2)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，所述底层挡板(3)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔(8)；所述缓冲隔板(2)的过流面积小于底层挡板(3)的过流面积。2.根据权利要求1所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔孔径为缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔孔径的3～6倍。3.根据权利要求2所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔孔径为缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔孔径的4倍。4.根据权利要求1至3任一所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)上最大气孔的孔径不超过中心气孔孔径的4倍。5.根据权利要求4所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)上最大气孔的孔径为中心气孔孔径的2.5倍。6.根据权利要求5所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述气体缓冲区(4)与气体预热分配区(5)的容积比为1：15～1：20。7.根据权利要求6所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述气体缓冲区(4)与气体预热分配区(5)的容积比为1：18.5。8.根据权利要求7所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)的过流面积与底层挡板(3)的过流面积比为1:1.12。9.根据权利要求8所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔的孔径相同。10.根据权利要求9所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔处设置有进气管(7)。2CN107699866A说明书1/4页一种改善流场均匀性的装置技术领域[0001]本发明涉及高温热处理技术领域，具体涉及一种应用于CVD/CVI沉积炉中改善流场均匀性的装置。背景技术[0002]化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)技术是一种相当成熟且已工业化的先进技术，它是利用气态物质在固体表面进行化学反应生成固态沉积物的过程，被广泛适用于各类陶瓷涂层和薄膜的制备。化学气相渗透(ChemicalVaporInfiltration,CVI)技术是在CVD技术基础上发展的制备陶瓷基复合材料的一种重要工艺，具有以下突出优点：(1)适用面广，能够用于各类陶瓷基体的制备，可形成高纯度、高密度一种基底或多种基体的交替或弥散；(2)制备温度低，陶瓷基片是通过先驱体转化形成的，可以在较低的反应温度下形成高熔点的陶瓷；(3)对纤维的机械损伤小，CVI