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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107777689A(43)申请公布日2018.03.09(21)申请号201711313319.X(22)申请日2017.12.12(71)申请人江西赛维LDK光伏硅科技有限公司地址338000江西省新余市高新经济开发区马洪工业基地赛维工业园专利办公室(72)发明人王建鑫郭晓刚吴一兵(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称一种多晶硅及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种多晶硅的制备方法,包括以下步骤:提供多晶硅反应炉,所述多晶硅反应炉中设有与电极连接的热载体,所述热载体包括钨丝和与所述钨丝连接的金属管,所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种;将所述热载体通电加热,当所述热载体温度达到1000-1100℃时,向所述多晶硅反应炉中通入原料气体,所述原料气体在所述热载体表面沉积生成棒状多晶硅。本发明提供的多晶硅的制备方法,不再需要高电压击穿及预加热器击穿硅芯的工艺方式,优化了运行前的反应器准备时间,提高了多晶硅的生产效率,降低了电气控制系统的复杂性及故障率,制备方法简单易操作。本发明还提供了上述制备方法制得的多晶硅。CN107777689ACN107777689A权利要求书1/1页1.一种多晶硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供多晶硅反应炉,所述多晶硅反应炉中设有与电极连接的热载体,所述热载体包括钨丝和与所述钨丝连接的金属管,所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种;将所述热载体通电加热,当所述热载体温度达到1000-1100℃时,向所述多晶硅反应炉中通入原料气体,所述原料气体在所述热载体表面沉积生成棒状多晶硅。2.如权利要求1所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述钨丝和所述金属管连接形成倒U字形或Π形。3.如权利要求1所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,沉积结束后,将所述金属管与所述钨丝分离,将沉积有多晶硅的金属管从电极上整体移出,然后通过化学腐蚀的方法将所述金属管腐蚀去除,收集得到多晶硅。4.如权利要求3所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述化学腐蚀的方法按照以下步骤操作:将所述金属管表面的多晶硅用生料带缠绕包覆后,放入HNO3和HF按体积比为1:1-5形成的混合溶液中静置10-45min,使所述金属管溶解,收集得到多晶硅。5.如权利要求4所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述金属管溶解后,去除多晶硅外表面上的生料带,然后将所述多晶硅采用HNO3和HF按体积比为1:5.5-10的比例形成的酸溶液进行酸洗。6.如权利要求3所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,将所述钨丝表面的多晶硅自所述钨丝顶部开始进行破碎和收集。7.如权利要求1所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述多晶硅制备过程中的运行电压为220V-2500V工业用电。8.如权利要求1所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述沉积过程中,所述多晶硅反应炉内的压力为4-6bar。9.如权利要求1所述的多晶硅的制备方法,其特征在于,所述沉积时间为小于或等于120h。10.一种多晶硅,其特征在于,所述多晶硅为按照权利要求1-9任一项所述的方法制得。2CN107777689A说明书1/7页一种多晶硅及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅及其制备方法。背景技术[0002]目前,一般采用西门子法制备高纯度的多晶硅,西门子法一般采用硅芯作为反应器内的加热源和硅料气相沉积的载体,但反应器内硅芯需经高电压击穿(击穿电压需在4.5KV以上,因此对反应器的绝缘有很高要求)或反应器内放置预加热器使炉温提温至约800℃,使硅芯电阻率降低后,在持续电流的作用下自然击穿硅芯,使硅芯形成导电体发热,产生的热能为反应器内部提供约1000℃的高温环境,使进入反应器内的氢气与三氯氢硅发生气相反应,不断沉积至硅芯表面,成为棒状硅料产品。[0003]但高压击穿的工艺方式对电气、设备、部件绝缘等方面要求高;预加热击穿的工艺方式又消耗较多的运行前的准备时间,减少了反应器的有效生产效率,使得反应炉硅料年产量降低。因此有必要提供一种新的沉积硅料的生产工艺来替代以往的硅芯击穿或预热工艺。发明内容[0004]为解决上述问题,本发明提供了一种多晶硅及其制备方法。本发明多晶硅的制备方法工艺简单,生产效率较高。[0005]本发明第一方面提供了一种多晶硅的制备方法,包括以下步骤:[0006]提供多晶硅反应炉,所述多晶硅反应炉中设有与电极连接的热载体,所述热载体包括钨丝和与所述钨丝连接的金属管,所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种;[0007]将所述热