一种多晶硅及其制备方法.pdf
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一种多晶硅及其制备方法.pdf
本发明提供了一种多晶硅的制备方法,包括以下步骤:提供多晶硅反应炉,所述多晶硅反应炉中设有与电极连接的热载体,所述热载体包括钨丝和与所述钨丝连接的金属管,所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种;将所述热载体通电加热,当所述热载体温度达到1000‑1100℃时,向所述多晶硅反应炉中通入原料气体,所述原料气体在所述热载体表面沉积生成棒状多晶硅。本发明提供的多晶硅的制备方法,不再需要高电压击穿及预加热器击穿硅芯的工艺方式,优化了运行前的反应器准备时间,提高了多晶硅的生产效率,降低了电气控制系统的复杂性及故障率
一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片.pdf
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,包括:提供铸锭炉,铸锭炉包括坩埚和隔热笼;在坩埚底部铺设籽晶,籽晶之间留有缝隙,形成籽晶层;在籽晶层上方填装硅料;加热使坩埚底部的温度上升,待籽晶表面开始熔化形成熔融液时,开启隔热笼并提升隔热笼的高度,以降低坩埚底部温度,熔融液填充在籽晶之间的缝隙中并凝固,得到致密的籽晶层,继续加热使硅料熔化形成硅熔体;待硅料熔化后形成的固液界面刚好处在或深入致密的籽晶层时,调节热场形成过冷状态,使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶;待全部硅熔体结晶完后,经退火冷却得到多晶硅锭。本发明在致密
一种多晶硅坩埚涂层及其制备方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅坩埚涂层及其制备方法,包括,氮化硅重量百分比为15‑25%,氧化剂重量百分比为5‑15%,粘合剂重量百分比为5‑20%,分散剂重量百分比为60‑70%。按比例称取氮化硅粉末、氧化剂、粘合剂和分散剂混合搅拌成均匀的混合液;混合液通过喷涂设备进行二次喷涂,均匀喷涂于坩埚内壁后低温烘干;低温烘干结束后,将坩埚放入烧结炉内900‑1000℃烧结2‑3小时,烧结完成后在1小时内降至室温25℃。所得氮化硅涂层与坩埚具有极佳的粘结力,附着牢固,不易脱落;氮化硅涂层厚度为200μm‑600μm,可以
一种多晶硅锭及其制备方法和用于制备多晶硅锭的铸锭炉.pdf
本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法,包括:将多晶硅料和掺杂剂加入到多晶硅铸锭炉的坩埚内,掺杂剂为含有P型掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种,P型掺杂元素包括镓、铟和铝中的至少一种;在保护气体存在下,加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体,调节铸锭炉温度,使硅熔体开始长晶得到硅晶体,在长晶过程中,当硅晶体的电阻率达到临界电阻率时,向坩埚内通入含N型掺杂元素的气体,使由硅熔体生长出的硅晶体的电阻率被调控到目标电阻率,硅熔体继续长晶,待坩埚内的硅熔体结晶完毕后,得到多晶硅锭,临界电阻率为0.9
一种多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法.pdf
本发明涉及一种多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法,包含熔融石英和导热助剂,所述导热助剂为碳化硅、氧化铝中的一种或二者的复配,所述熔融石英与导热助剂的重量比为(1~3):1。本发明的有益效果是:本发明提供的坩埚具有良好的导热性能,与现有市场上的熔融石英坩埚相比,热导率提升了40%以上,不但改善了长晶的品质,而且缩短了长晶周期,大幅提高了铸锭炉的铸锭产能。