一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法.pdf
小沛****文章
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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法.pdf
本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子,使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部,所涉及的高温裂解装置上设有针阀,所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置,使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流,解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题,以Te单原子分子形式可
一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法.pdf
一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法,其包括以下具体步骤:(1)将C纸浸泡在一定浓度的催化剂无水乙醇溶液中,自然晾干备用;(2)将液态有机前驱体聚硅氮烷置于石墨坩埚中,然后将步骤1)引入了催化剂的C纸置于石墨坩埚顶部,在气氛烧结炉中于5%N2和95%Ar气(体积比)的混合保护气氛下热解一定时间;(3)通过控制热解温度,实现N原子在催化剂液滴中溶解度的控制,进而实现n型SiC单晶低维纳米材料N掺杂浓度的调控。本发明可以实现n型SiC单晶低维纳米材料均匀掺杂及其掺杂浓度的调控和设计,在光电纳米器件
一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞制备方法.pdf
本发明是一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞的制备方法。包括有如下步骤:1)用高能球磨机将纯Si和掺入的GaP按照比例混合,在球磨0~10小时后加入0.1%~1.5%摩尔比例的Sb以及0.5%~1.5%P;2)共球磨33小时后用直流快速热压机压制样品,升温速度为300℃/min;开始时压力为50MP,在800℃时停30S,同时加压至500MP,升温至1050℃后保温2mins,然后迅速停止加温,撤出压力,空气冷却至室温;3)将(1)(2)步骤制备出的样品在马弗炉中以100℃/小时的速度升温至950℃~110
一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法.pdf
本发明公开了一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法。该方法的步骤如下:将电化学沉积制备所得的n型氧化亚铜薄膜放入热处理炉中进行除碳;将热处理炉温度升高至120oC至150oC,保温1~2小时;除碳过程后,将热处理炉温度升至300oC至400oC,保温1~2小时;热处理后,热处理炉温度自然降温至常温,将n型氧化亚铜薄膜取出并进行测试。本发明是对电化学沉积的n型氧化亚铜薄膜进行先除碳,再热处理的方法。通过除碳过程,可以去除在沉积过程中n型氧化亚铜薄膜中的有机杂质,然后对氧化亚铜薄膜进行热处理,通过控制
一种n型GeTe基热电材料及其制备方法.pdf
本发明提供一种n型GeTe基热电材料及其制备方法,涉及热电材料技术领域。所述的n型GeTe基热电材料,具备多层级可控微结构,其化学式为(GeTe)<base:Sub>1?x</base:Sub>(AgBiTe<base:Sub>2</base:Sub>)<base:Sub>x</base:Sub>,其中x为0?0.55。所述的n型GeTe基热电材料通过AgBiTe<base:Sub>2</base:Sub>合金化制得,制备步骤包括:将Ge粉、Bi粉、Te粉和Ag粉混合并细化得到原料颗粒,随后将所述原料颗粒