一种X射线波带片制备系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108300980A(43)申请公布日2018.07.20(21)申请号201810028022.7(22)申请日2018.01.11(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人王胜涛卢维尔夏洋(74)专利代理机构北京华沛德权律师事务所11302代理人房德权(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种X射线波带片制备系统(57)摘要本发明涉及一种X射线波带片制备系统。所述系统包括：腔室；第一前驱体通入管路，第一前驱体通入管路与腔室的一端连通，用于将第一前驱体输送进腔室；第二前驱体通入管路，第二前驱体通入管路与腔室的一端连通，用于将第二前驱体输送进腔室；夹具，夹具设置在腔室内，用于固定柱状细丝形的衬底；马弗炉，马弗炉包裹着腔室，用于加热腔室；抽气管路，抽气管路的一端与腔室的另一端连通；真空泵，真空泵与抽气管路的另一端相连，真空泵通过抽气管路将腔室内抽为真空。本发明可以实现同时在多根柱状细丝形的衬底上实现两种波带片材料交替生长，提高波带片的加工效率。CN108300980ACN108300980A权利要求书1/1页1.一种X射线波带片制备系统，其特征在于，所述系统包括：腔室；第一前驱体通入管路，所述第一前驱体通入管路与所述腔室的一端连通，用于将第一前驱体输送进所述腔室；第二前驱体通入管路，所述第二前驱体通入管路与所述腔室的一端连通，用于将第二前驱体输送进所述腔室；夹具，所述夹具设置在所述腔室内，用于固定柱状细丝形的衬底；马弗炉，所述马弗炉包裹着所述腔室，用于加热所述腔室；抽气管路，所述抽气管路的一端与所述腔室的另一端连通；真空泵，所述真空泵与所述抽气管路的另一端相连，所述真空泵通过所述抽气管路将所述腔室内抽为真空。2.如权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述夹具包括：空心圆柱架，所述空心圆柱架包括第一环形端、第二环形端和连接杆，所述第一环形端和所述第二环形端相对平行设置，所述第一环形端和所述第二环形端分别固定在所述连接杆的两端；所述空心圆柱架的轴向与所述第一前驱体和所述第二前驱体气流的方向一致；若干挂钩，若干所述挂钩对称设置在所述第一环形端和所述第二环形端上；所述柱状细丝形的衬底两端分别固定在一对对称的所述挂钩上。3.如权利要求1所述的制备系统，其特征在于：所述夹具的材质为不锈钢、铝、铜、钨中的一种。4.如权利要求1所述的制备系统，其特征在于：所述腔室为柱状管式结构，所述第一前驱体和所述第二前驱体在所述腔室内为单向直线流动，所述衬底的纵向沿着所述第一前驱体和所述第二前驱体气流的方向。5.如权利要求2所述的制备系统，其特征在于：所述腔室为石英管，所述石英管的管壁厚2-5mm，管长0.8-2m，内径1-5cm。6.如权利要求5所述的制备系统，其特征在于：所述第一环形端和所述第二环形端的外径尺寸比所述石英管内径尺寸小5mm。7.如权利要求1所述的制备系统，其特征在于：所述马弗炉的加热温度为50-1200℃。8.如权利要求1所述的制备系统，其特征在于：所述系统还包括：真空规，所述真空规设置在所述抽气管路上，用于实时测量所述腔室内的真空度。2CN108300980A说明书1/4页一种X射线波带片制备系统技术领域[0001]本发明涉及原子层沉积技术领域，尤其涉及一种X射线波带片制备系统。背景技术[0002]原子层沉积(ALD)是一种可以实现单原子层生长的薄膜制备技术，其自限制性和互补性使得该技术对薄膜的成分和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，已经被广泛应用到各个领域。[0003]目前，采用原子层沉积技术制备X射线波带片，是提高X射线波带片分辨率和衍射效率的有效方法。X射线波带片是X射线波段的一种光学元件，具有对X射线的色散、聚焦、成像等功能，传统制备方法主要有激光全息法、电子束光刻法、溅射切片法等，但这些传统的制作手段只能够使波带片最外环的宽度在20nm左右，同时，激光全息法、电子束光刻法在制作波带片时长径比是受限的，而溅射切片法很难精确控制波带片每一环的宽度。因此，传统的方法很难实现高分辨率和高衍射效率波带片的制作。[0004]利用ALD技术制备波带片，可以精确的控制波带片每一环的宽度，且厚度均匀性高，同时可以将最外环的宽度控制在10nm以下，实现亚10nm的高分辨率。而采用FIB进行的切片和抛光可以得到任意的长径比，使波带片具有高的衍射效率。[0005]如图1所示，在传统ALD的设备腔室1中，一般在加热盘2之上会设有匀热盘3。这种传统的ALD设备腔室往往只能对片状的衬底进行加热，当