多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108486651A(43)申请公布日2018.09.04(21)申请号201810691909.4(22)申请日2018.06.28(71)申请人英利能源（中国）有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人张任远夏新中陈志军潘明翠刘磊张莉沫王丙宽孟庆超(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人陆林生(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭(57)摘要本发明适用于光伏电池技术领域，提供了多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭，该方法包括：在坩埚底部铺设底层硅片，并在所述底层硅片的上表面铺设N层上层硅片，所述上层硅片覆盖所述底层硅片之间的缝隙；其中N为正整数；在上层硅片的上表面铺设晶粒；在铺设晶粒后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉的温度设定为第一预设温度值，使所述多晶硅原料全部熔化成硅液；控制所述铸锭炉的温度和散热窗口开度，使所述硅液在所述晶粒的基础上结晶，生长成多晶硅锭。本发明降低硅锭中的氧杂质含量。CN108486651ACN108486651A权利要求书1/1页1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设底层硅片，并在所述底层硅片的上表面铺设N层上层硅片，所述上层硅片覆盖所述底层硅片之间的缝隙；其中N为正整数；在上层硅片的上表面铺设晶粒；在铺设晶粒后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉的温度设定为第一预设温度值，使所述多晶硅原料全部熔化成硅液；控制所述铸锭炉的温度和散热窗口开度，使所述硅液在所述晶粒的基础上结晶，生长成多晶硅锭。2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，N小于或等于9。3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述控制所述铸锭炉的温度和散热窗口开度，包括：将所述铸锭炉的温度设定为第二预设温度值，并在第一预设时间段内，将所述铸锭炉的散热窗口的开度从0打开至第一预设开度值，在第二预设时间段内，将所述铸锭炉的散热窗口开度从第一预设开度值打开至第二预设开度值；将所述铸锭炉的温度设定为第三预设温度值，并在第三预设时间段内，将所述铸锭炉的散热窗口开度从第二预设开度值打开至第三预设开度值；其中；所述第一预设温度值大于所述第二预设温度值，所述第二预设温度值大于所述第三预设温度值；所述第一预设开度值大于所述第二预设开度值，所述第二预设开度值大于所述第三预设开度值。4.如权利要求3所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间段为8分钟至12分钟，所述第二预设时间段为3分钟至7分钟。5.如权利要求3所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一预设开度值为28度至32度；所述第二预设开度值为38度至42度；所述第三预设开度值为43度至47度。6.如权利要求3所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度值为1520摄氏度至1540摄氏度；所述第二预设温度值为1404摄氏度至1408摄氏度；所述第三预设温度值为1390摄氏度至1410摄氏度。7.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，还包括：在坩埚内表面涂覆保护层，所述保护层的材质包括氮化硅、纯水和硅溶胶。8.一种多晶硅锭，其特征在于，按照如权利要求1-7任一项所述的多晶硅锭的制备方法制得。9.一种硅片，其特征在于，通过切割如权利要求8所述的多晶硅锭制得。10.一种太阳能电池片，其特征在于，根据如权利要求9所述的硅片制得。2CN108486651A说明书1/5页多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭技术领域[0001]本发明属于光伏电池技术领域，尤其涉及一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭。背景技术[0002]多晶硅锭具有位错密度低、晶界结构规则和晶粒分布均匀等优点，是制备太阳能电池的常用材料。目前，制备多晶硅锭的常用方法是在坩埚底部铺设晶粒，硅液从晶粒处开始形核长晶，但是，坩埚中的氧杂质会渗透到硅锭中，由于氧杂质聚集，导致多晶硅锭尾部氧杂质含量过高，在使用多晶硅锭尾部切割而成的硅片制备太阳能电池片时，制备的太阳能电池片的光电转换效率很低。发明内容[0003]有鉴于此，本发明实施例提供了一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭，以解决现有技术中制备的多晶硅锭尾部氧杂质含量高的问题。[0004]本发明实施例第一方面提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：[0005]在坩埚底部铺设底层硅片，并在所述底层硅片的上表面铺设N层上层硅片，所述上层硅片覆盖所述底层硅片之间的缝隙；其中N为正整数；[0006]在上层硅