高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108505112A(43)申请公布日2018.09.07(21)申请号201810495709.1(22)申请日2018.05.22(71)申请人英利能源（中国）有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人王坤刘志强潘家明潘明翠王丙宽(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人米文智(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭(57)摘要本发明适用于光伏电池技术领域，提供了高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭，该方法包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层；在所述坩埚底面涂覆的第一隔离层的上表面涂覆反应层；在所述坩埚底面涂覆的反应层的上表面涂覆第二隔离层；在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料，并将坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉加热至第一预设温度，使所述多晶硅原料全部熔化，形成硅液；利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结；利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭。本发明能够降低工艺难度，节省化料时间。CN108505112ACN108505112A权利要求书1/2页1.一种高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层，所述第一隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第一隔离层的坩埚底面的上表面涂覆反应层，所述反应层的材质包括二氧化硅和纯水；在涂覆反应层的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层，所述第二隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉加热至第一预设温度，使所述多晶硅原料全部熔化，形成硅液；利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结；利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭。2.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结，包括：将所述铸锭炉的温度降低至第二预设温度，所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结。3.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭，包括：将所述铸锭炉的温度降低至第三预设温度，并将散热窗口的开度设为第一预设值，在所述坩埚底部形成过冷状态，硅液在所述异质结的基础上长晶，在所述坩埚底部生长成晶粒；将所述铸锭炉的温度降低至第四预设温度，并将所述铸锭炉的散热窗口开度设置为第二预设值，硅液在所述的晶粒的基础上开始长晶；长晶完成后经退火和冷却后形成高效多晶硅锭。4.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，还包括：对涂覆反应层后的坩埚进行烧结；所述在涂覆反应层的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层，包括：在烧结后的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层。5.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层中氮化硅的纯度大于99.9％；所述第一隔离层中氮化硅和纯水的质量比为1:1.5至1:4；所述第二隔离层中氮化硅的纯度大于99.9％；所述第二隔离层中氮化硅和纯水的质量比为1:1.5至1:4。6.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层的材质还包括硅溶胶；所述第一隔离层中氮化硅、纯水和硅溶胶的质量比为1:1.5:0.1至1:4:0.5；所述第二隔离层的材质还包括硅溶胶；所述第二隔离层中氮化硅、纯水、和硅溶胶的质量比为1:1.5:0.5:0.1至1:4:2:0.5。7.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述反应层中二氧化硅的纯度大于99.9％；所述反应层中二氧化硅和纯水的质量比为1:3至1:8。8.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅的粒径为2CN108505112A权利要求书2/2页50微米至1000微米。9.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为50微米至500微米；所述反应层的厚度为50微米至500微米；所述第二隔离层的厚度为50微米至200微米。10.一种高效多晶硅锭，其特征在于，所述高效多晶硅锭按照如权利要求1-9任一项所述的高效多晶硅锭的制备方法制得。3CN108505112A说明书1/6页高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭技术领域[0001]本发明属于光伏电池技术领域，尤其涉及一种高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶