一种钕铁硼磁体烧结工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108637249A(43)申请公布日2018.10.12(21)申请号201810572612.6(22)申请日2018.06.06(71)申请人山西大缙华磁性材料有限公司地址030600山西省晋中市榆次工业园区(72)发明人张红玲史永杰庄祖兵(51)Int.Cl.B22F3/10(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种钕铁硼磁体烧结工艺(57)摘要本发明公开了一种钕铁硼磁体烧结工艺，将成型钕铁硼磁体置于烧结炉中，抽真空后经150-180分钟升温至750-850℃，保温20-40分钟；再经过60-70分钟升温至1000-1050℃，保温10-30分钟；再经过0-10分钟升温至1050-1100℃，保温300-350分钟；最后充入惰性气体冷却，得到烧结钕铁硼磁体。本发明采用阶梯式升温预烧，使得磁体外部和中心的温度梯度变小，提高烧结后磁体性能和合格率；采用气淬和自然冷却的方式，通过炉内温度实现钕铁硼压坯回火，达到节能的目的；同时在升温、保温过程中利用惰性气体对流，使得烧结过程放出的气体、挥发性物质在抽真空时被惰性气体带出，保护压坯不被氧化。CN108637249ACN108637249A权利要求书1/1页1.一种钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于，包括如下步骤：将成型的钕铁硼磁体置于烧结炉中，抽真空后经150-180分钟的升温时间从室温升温至第一温度750-850℃，保温20-40分钟；将步骤（1）处理后的钕铁硼磁体经过60-70分钟的升温时间升温至第二温度1000-1050℃，保温10-30分钟；将步骤（2）处理后的钕铁硼磁体经过0-10分钟的升温时间升温至第三温度1050-1100℃，保温300-350分钟；将步骤（3）处理后的钕铁硼磁体置于惰性气体环境中冷却，得到烧结钕铁硼磁体。2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（4）中置于惰性气体中冷却，为采用充入惰性气体气淬冷却至600-650℃，然后自然冷却至400-450℃，再次气淬冷却至室温后出炉。3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（1）中抽真空的同时可向烧结炉中充入惰性气体，使炉内惰性气体压力稳定在100-200Pa，待保温完成后，停止充入惰性气体，抽真空至设定的真空度。4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（1）、步骤（2）的升温、保温过程中，可按照周期时间往烧结炉内周期性通入惰性气体；所述周期时间包括通气时间和间隔时间；所述通气时间为10-20s；所述间隔时间为通气时间的1-20倍。5.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（1）抽真空后烧结炉内真空度小于等于2Pa。6.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（4）中惰性气体为氩气。7.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述步骤（4）中可采用氮气替代惰性气体进行冷却。8.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体烧结工艺，其特征在于：所述成型的钕铁硼磁体为圆柱体。2CN108637249A说明书1/3页一种钕铁硼磁体烧结工艺技术领域[0001]本发明属于磁体制备技术领域，尤其涉及一种钕铁硼磁体烧结工艺。背景技术[0002]钕铁硼磁体因具有极高的磁能积、矫顽力和高能量密度，在现代工业和电子技术等领域中广泛使用。钕铁硼磁体的制造工艺过程为：合金熔炼→氢破碎制粗粉→气流磨制细粉→定型→等静压→烧结→表面处理→充磁使用。其中烧结是一个关键步骤，烧结工艺的好坏直接决定着钕铁硼磁体的性能和合格率。[0003]由于钕铁硼粉末吸附有大量的氮、氧、碳等物质，这些物质在烧结过程的不同温度段释放出来，释放出来的物质需要被及时抽除或稀释，否则将消耗钕铁硼磁体中的富钕相引起材料氧化。另外，由于烧结工艺曲线复杂，烧结过程中需保持较高的真空度，且烧结时间长，能源消耗大，导致成本较高。缩短烧结时间能够节约大量能耗，从而有效地降低制造成本，具有很好的经济和社会意义。发明内容[0004]为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种能够显著降低烧结时间，且有效避免钕铁硼磁体氧化的钕铁硼磁体烧结工艺。[0005]本发明采用的技术方案是：一种钕铁硼磁体烧结工艺，包括如下步骤：（1）将成型的钕铁硼磁体置于烧结炉中，抽真空后经150-180分钟的升温时间从室温升温至第一温度750-850℃，保温20-40分钟；（2）将步骤（1）处理后的钕铁硼磁体经过60-70分钟的升温时间升温至第二温度1000-1050℃，保温10-30分钟；（3）将步骤（2）处理后的钕铁硼磁体经过0-10分钟的升温时间升温至第三温度10