多晶硅还原炉自动进料方法和装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108658079A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201710206853.4(22)申请日2017.03.31(71)申请人新特能源股份有限公司地址830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市国家级高新技术产业开发区（新市区）甘泉堡高新技术产业园(72)发明人王文梁建龙张瑜龙蔡芳芳张文龙罗飞飞郑安刘方旭(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人罗建民邓伯英(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称多晶硅还原炉自动进料方法和装置(57)摘要本发明提供一种多晶硅还原炉自动进料方法，其包括如下步骤：预设给定氢气进料曲线，并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量；预设给定配比曲线，其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值；测量每时基对应的实际氢气流量；根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值，并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。相应地，提供一种多晶硅还原炉自动进料装置。本发明能够自动控制多晶硅还原炉进料，从而减少甚至避免了人为操作，而且重复性高，能够适应不同的工况和参数，易于调整和改进。CN108658079ACN108658079A权利要求书1/2页1.一种多晶硅还原炉自动进料方法，其特征在于，包括如下步骤：预设给定氢气进料曲线，并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量；预设给定配比曲线，其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值；测量每时基对应的实际氢气流量；根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值，并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。2.根据权利要求1所述的自动进料方法，其特征在于，所述给定氢气进料曲线由x段依次首尾相连的线段来表示，其中的时间点分别为t0,t1,t2,……,tx-1,tx，依次对应的给定氢气流量值分别为F0,F1,F2,……,Fx-1,Fx，则每时基对应的给定氢气流量的表达式如下：其中，i＝0,1,2,……,x-1；1≤x≤30，x为整数；F为给定氢气流量，t为反应时间；t0＝0，tx＝A，Fx＝FA，A为反应结束对应的时间点；t1,t2,……,tx-1,A,F0,F1,F2,……,Fx-1,FA均为常数，t0≠t1≠t2≠……≠tx-1≠tx。3.根据权利要求1所述的自动进料方法，其特征在于，所述给定配比曲线由y段依次首尾相连的线段来表示，其中的时间点分别为t0',t1',t2',……,ty-1',ty'，依次对应的给定配比值分别为K0,K1,K2,……,Ky-1,Ky，则每时基对应的给定配比值的表达式如下：其中，j＝0,1,2,……,y-1；1≤y≤30，y为整数；K为给定配比值；t'为反应时间；t0'＝0，ty'＝A，Ky＝KA，A为反应结束对应的时间点；t1',t2',……,ty-1',A,K0,K1,K2,……,Ky-1,KA均为常数，t0'≠t1'≠t2'≠……≠ty-1'≠ty'。4.根据权利要求1所述的自动进料方法，其特征在于，所述给定三氯氢硅进料值的表达式如下：F给定三氯氢硅流量＝67.08×F实际氢气流量×K其中，F给定三氯氢硅流量为每时基对应的给定三氯氢硅流量，F实际氢气流量为每时基对应的实际氢气流量，K为每时基对应的给定配比值。5.根据权利要求1-3中任一项所述的自动进料方法，其特征在于，还包括如下步骤：获取每时基对应的给定氢气流量值与实际氢气流量值的偏差，并在所述偏差的绝对值超过第一偏差报警值时报警；和/或，测量每时基对应的实际三氯氢硅流量；获取每时基对应的给定三氯氢硅流量值与实际三氯氢硅流量值的偏差，并在所述偏差的绝对值超过第二偏差报警值时报警。6.一种多晶硅还原炉自动进料装置，其特征在于，包括：氢气控制单元，用于预设给定氢气进料曲线，并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量；2CN108658079A权利要求书2/2页配比设定单元，用于预设给定配比曲线，其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值；氢气流量测量单元，用于测量每时基对应的实际氢气流量；三氯氢硅控制单元，用于根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值，并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。7.根据权利要求6所述的自动进料装置，其特征在于，所述氢气控制单元中预设的给定氢气进料曲线由x段依次首尾相连的