一种新型背腐蚀刻边工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108711583A(43)申请公布日2018.10.26(21)申请号201810347358.X(22)申请日2018.04.18(71)申请人中建材浚鑫科技有限公司地址214400江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号(72)发明人黄镇(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676代理人李浩(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种新型背腐蚀刻边工艺(57)摘要本发明公开的属于太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散；S3：背腐蚀；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300-900摄氏度，烧结时间为58-62秒，S7：分类检测、测试、包装，提高了电池的效率，节省了化学原料，边缘无刻边，背面腐蚀均匀，避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响，大大降低了破片率，工艺简单，成本低廉。CN108711583ACN108711583A权利要求书1/1页1.一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散：将磷化物掺入晶硅片的表面，并使得磷原子扩散；S3：背腐蚀：让扩散后的晶硅片带有PN结的那一面朝上，通过滚轮带混合酸的方式去除扩散后晶硅片周边的PN结；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化：用丝网印刷的方法在晶硅片的背面和正面印上背电极、背电场、正电极，形成有效的点成和引出电极；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300-900摄氏度，烧结时间为58-62秒；S7：分类检测、测试、包装。2.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S1中的酸液为硝酸、氢氟酸、硫酸和水的混合液。3.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S2中的磷化物为三氯氧磷。4.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S3中的混合酸包括氢氟酸、硝酸和添加剂。5.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S4中的沉积减反射膜的具体方法为：将经过晶硅片置于石墨舟中，在450-500摄氏度下、含有硅烷与氨气的混合气体氛围中进行沉积减反射膜。6.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S6中的烧结方法为，采用缓慢升温的方式进行烧结，且升温速率为8-10摄氏度/秒。2CN108711583A说明书1/2页一种新型背腐蚀刻边工艺技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺。背景技术[0002]当前影响光电池大规模应用的主要障碍是它的制造成本太高，在众多发电技术中，太阳能光电仍是花费最高的一种形式，因此发展阳光发电技术的主要目标是通过改进现有的制造工艺，设计新的电池结构，开发新颖电池材料等方式降低制造成本，提高光电转换效率。目前多数公司为了降低成本、差异化经营，都在对高效电池的研发大力投入，PERC电池、MWT电池、HIT、IBC电池等高效电池都是研发的热点。目前传统工艺生产下进行背腐刻蚀时，边缘容易产生药液残留和刻边宽的情况，为此，我们提出一种新型背腐蚀刻边工艺。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种新型背腐蚀刻边工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：[0005]S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；[0006]S2：扩散：将磷化物掺入晶硅片的表面，并使得磷原子扩散；[0007]S3：背腐蚀：让扩散后的晶硅片带有PN结的那一面朝上，通过滚轮带混合酸的方式去除扩散后晶硅片周边的PN结；[0008]S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；[0009]S5：丝网印刷金属化：用丝网印刷的方法在晶硅片的背面和正面印上背电极、背电场、正电极，形成有效的点成和引出电极；[0010]S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在