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太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉.pdf
2023-06-17
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太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉.pdf
本发明公开了太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉，解决了现有的太阳能级硅的物理冶炼法能耗高、对于金属杂质较高的金属硅原料的提纯效果有限的问题。本发明包括以下步骤：选取金属硅、粉碎，加入造渣剂装入石英坩埚，并置于可水平旋转的微波熔炼炉中进行真空熔炼，保温熔炼过程中对微波熔炼炉进行旋转，最后分段关闭磁控管控制金属硅逐步凝固，最后将所得硅锭远离微波熔炼炉中心的端部以及与坩埚粘黏的部分去除、清洗、干燥、包装得到太阳能级硅。本发明还公开了一种用于制备上述太阳能级硅的微波熔炼炉。本发明具有制备的太阳能级硅的纯度高，能耗
2023-06-17
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一种太阳能级别单晶硅及其制备方法.pdf
一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法，把25Kg的多晶硅(占原料35.72％)、边皮15Kg(占原料21.43％)、复拉棒20Kg(占原料28.57％)、抛光片5Kg(占原料7.14％)、头尾料5Kg(占原料7.14％)放入单晶炉，单晶炉的石英锅的温度达到硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转动，种晶从上面下降，点到锅的液面点，慢慢反方向转动，锅下面同时在加热，液面上加冷，种晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引、放肩、转肩、正常拉棒、收尾，在一段时间后，一个单晶棒形成。本发明的
2023-06-20
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低成本制备太阳能级多晶硅的方法.pdf
本发明公开了一种低成本制备太阳能级多晶硅的方法，其技术方案是采用3N级的金属硅作为原料，经中频感应炉熔化后吹气造渣精炼、一次粉碎研磨、通氧预加热处理、淬火、一次酸洗除杂、二次粉碎研磨、二次酸洗除杂、定向凝固，得到B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.3ppmw、金属杂质含量≤0.1ppmw、纯度≥99.9999%的太阳能级多晶硅。本发明操作容易、设备简单，克服了物理法要使用等离子、电子束、真空等大型昂贵设备的缺点，使物理法可以用低成本的方式进行太阳能级多晶硅的生产。
2023-06-19
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一种制备太阳能级多晶硅的方法.pdf
本发明涉及制备太阳能级多晶硅的方法，包括：在矿热炉出硅过程中，向抬包底部持续通入氧化性气体；出硅完成后，将预熔造渣剂倒入抬包中精炼；将氧化性气体采用等离子发生器电离后注入硅液中；待反应完后，将得到的硅液注入保温装置中凝固，待硅锭冷却后，打磨硅锭四周及底面洁净；将硅锭破碎、磨粉，采用混合酸进行酸洗，清洗，烘干；将酸洗后硅粉放入中频炉石墨坩埚中加热熔化成硅液，保温；于硅液的表面放置石墨板，石墨板与直流电压的负极相接，石墨坩埚底部与直流电压的正极相接，施加直流电压；通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚缓慢下降
2023-06-20
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一种制备太阳能级多晶硅的方法.pdf
本发明公开了一种制备太阳能级多晶硅的方法，将二氧化硅在600～1200℃的沸腾氯化炉中通过加碳氯化成SiCl4，或者直接利用西门子法制备多晶硅过程的副产物SiCl4；通过纯化得到精SiCl4；然后在温度为200～880℃下利用熔融的液态碱金属Na还原SiCl4得到海绵硅，再经过过滤、真空蒸馏、酸洗和水洗后获得高纯硅，最后通过真空熔炼和定向凝固制备得到多晶硅。本技术具有成本低、排放少的优点，能制备得到99.9999％的太阳能级多晶硅。
2023-06-20
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