一种高纯钛锭提纯方法.pdf
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一种高纯钛锭提纯方法.pdf
本发明公开了一种包括备料、装炉、电子束熔炼的高纯钛锭提纯方法,采用电子束炉熔炼,保持电子束熔炼炉炉膛真空度≧2.0×10‑2pa时升温开始电子束熔炼,熔炼温度控制在≥2350℃,熔炼速度控制在≤25kg/h,充分融化钛条,电子束熔炼后形成的钛锭在炉膛里冷却后出炉,有效降低了铁、硅、碳等杂质元素含量,从而得到高纯度钛锭,高纯金属钛无气孔,无夹杂。
一种高真空低温提纯高纯镁的方法及提纯装置.pdf
本发明公开了一种高真空低温提纯高纯镁的方法,该方法利用各元素在高真空下加热升华以及各元素的升华温度不同原理,采取两步法提纯高纯镁;本发明还提供了一种应用上述高真空低温提纯高纯镁的提纯装置,它分别包括真空蒸馏炉体和真空蒸馏炉盖接有的冷却系统、真空蒸馏炉体中装有的电炉加热系统、电炉加热系统上方设置的结晶收集板,以及与真空蒸馏炉体贯通连接的抽真空系统,所述的结晶收集板与真空蒸馏炉体外设置的翻转机构连接,由翻转机构控制结晶收集板翻转180度。本发明采用两步法进行提纯蒸馏,通过改变蒸馏提纯的真空和温度条件,充分降低
一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法.pdf
本发明涉及一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法,包括以下步骤:步骤S1、铸锭准备;步骤S2、对经所述步骤S1得到的所述铸锭进行第一次加热;步骤S3、对经所述步骤S2加热后的所述铸锭进行开坯锻造得到坯料;步骤S4、对经所述步骤S3得到的所述坯料进行降温;步骤S5、对经所述步骤S4得到的所述坯料进行第二次加热;步骤S6、对经所述步骤S5加热后的所述坯料进行第二次锻造得到二次坯料;步骤S7、对经所述步骤S6得到的所述二次坯料进行第二次降温;步骤S8、对经所述步骤S7得到的所述二次坯料进行第三次加热;步骤
一种高纯氢气提纯系统及提纯方法.pdf
本发明公开一种高纯氢气提纯系统及提纯方法,包括主PSA提氢装置和辅助PSA提氢装置,主PSA提氢装置包括吸附单元A、原料气缓冲罐A、产品气缓冲罐A、顺放气罐、逆放气罐以及解析气罐,辅助PSA提氢装置包括吸附单元B、原料气缓冲罐B、产品气缓冲罐B以及尾气罐,解析气罐与原料气缓冲罐B连接,原料气缓冲罐A与产品气缓冲罐B连接。主PSA提氢装置的尾气经过压缩,作为辅助PSA提氢装置的原料气。辅助PSA提氢装置的产品气作为主PSA提氢装置的原料气,提高氢气收率,有效地脱除粗氢气中的一氧化碳、二氧化碳、甲烷、氮气、水
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本发明公开了一种高纯铝提纯装置及其提纯方法,包括外箱,所述外箱底部设置支撑腿,所述外箱内部设置两个坩埚,所述坩埚的通过支撑架固定在外箱底部,所述坩埚的顶部设置结晶器,所述结晶器内注入结晶体,所述结晶器的顶部贯穿外箱设置,所述坩埚的外部设置进料口,所述进料口贯穿外箱设置,所述坩埚的底部开设出料口,所述坩埚内设置离心轴,所述离心轴从出料口中穿出,且延伸至外箱外部,且设置从动锥齿轮,所述外箱的底部还设置双轴电机,所述双轴电机的输出轴上设置主动锥齿轮,所述主动锥齿轮和从动锥齿轮啮合传动连接。本发明通过两个坩埚能够