多晶硅还原炉的启炉预测方法、系统、存储介质及终端.pdf
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多晶硅还原炉的启炉预测方法、系统、存储介质及终端.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉的启炉预测方法、系统、存储介质及终端,方法包括获取每个还原炉的单位时间内的耗料量信息以及电量消耗信息,并实时采集所有料罐的存量信息、运行中还原炉的产量信息,并获取待启炉还原炉的启炉时间信息、时序耗料表信息以及运行周期信息,启炉时间信息、运行周期信息根据实际生产需求结合峰谷平电价表进行选择设置;根据待启炉还原炉的启炉时间信息以及运行周期信息进行待启炉还原炉的运行周期内的耗料平衡以及电量平衡计算,根据耗料平衡以及电量平衡计算结果确定待启炉还原炉是否满足启炉条件。本发明能够准确获知正
多晶硅还原炉的启炉方法.pdf
本发明提供了一种多晶硅还原炉的启炉方法,该启炉方法包括以下步骤:将硅芯安装至多晶硅还原炉的底盘上;开启多晶硅还原炉的水循环系统,并对硅芯进行预热处理;预热处理后的硅芯进行击穿处理。该启炉方法通过在硅芯被高压击穿处理的步骤之前,增加开启多晶硅还原炉的水循环系统,并对还原炉内的硅芯进行预热处理的步骤,从而使得被高压击穿处理前硅芯的温度得以升高,硅芯的电阻率得以降低,进而有利于硅芯的击穿,并减少了硅芯击穿所需要的时间,进一步降低了击穿过程中由于硅芯的脆性较大而导致硅芯发生倾倒的几率,即解决了现有技术中多晶硅还原
多晶硅还原炉及其启炉方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法,多晶硅还原炉包括:底盘,底盘上设有进气管和出气管;高阻值硅芯,设在底盘上;还原炉筒体,适于罩设在底盘上,还原炉筒体内限定有空腔;气体加热器,气体加热器上形成有气体进口和气体出口;物料系统换热器,物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口;气体管道,气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通;其中,经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉,通过气体加热器对气体进行加热,通过热态气体将还原
多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置,该硅芯击穿方法包括以下步骤:向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换,再通入380~400℃的氢气进行置换,通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热;打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时,此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380~400℃,可维持硅芯为导体,不会导致硅芯电流、电压波动,实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200~300Ω·cm的电阻率的硅芯,提升还原一次转化率,由于击穿硅芯的电阻率大大提高,减少了现有技术为
一种多晶硅还原炉自动控制启炉方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉自动控制启炉方法,采用顺序控制的方法实现自动启炉,过程主要包括氮气置换、硅芯击穿、氢气置换、氢气空烧及三氯氢硅进料。自动控制启炉过程使还原炉的运行更加稳定,气体的置换更加充分,同时也节省了大量的人力和操作时间。