硅芯方锭铸锭装置及其铸造工艺.pdf
一条****贺6
亲,该文档总共12页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
硅芯方锭铸锭装置及其铸造工艺.pdf
本发明涉及一种硅芯方锭铸锭装置,包括石墨块,所述石墨块上设置有定向导气块,所述定向导气块上设置有坩埚,所述坩埚外侧设置有定位块,所述坩埚外侧设置有加热器,所述加热器外侧设置有保温层,所述保温层外侧设置有炉体,所述定向导气块包括导气块本体,所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口,其中,最左边一个通气口设置为出气口,其余四个通气口均设置为进气口,所述导气块本体的正面设置有冷却槽,所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块。本发明一种硅芯方
硅芯方锭铸锭炉定向导气块.pdf
本发明涉及一种硅芯方锭铸锭炉定向导气块,它包括导气块本体(21),所述导气块本体(21)背面左右两侧分别设置有进气口(22)和出气口(23),所述进气口(22)右侧开设有第一导气孔(24),所述进气口(22)和出气口(23)之间开设有前后两个第二导气孔(25),所述进气口(22)与第一导气孔(24)下端之间通过进气导槽(26)相连通,所述出气口(23)沿水平方向向右开设有出气导槽(27)。本发明本发明一种硅芯方锭铸锭炉定向导气块,通过合理设计定向导气块的冷却槽路径,大大提高了定向导气块冷却的均匀性,能够为
硅芯方锭铸锭炉热场结构.pdf
本发明涉及一种硅芯方锭铸锭炉热场结构,它包括石墨块(1),所述石墨块(1)上设置有定向导气块(2),所述定向导气块(2)上设置有坩埚(4),所述坩埚(4)外侧设置有定位块(3),所述坩埚(4)外侧设置有加热器(5),所述加热器(5)外侧设置有保温层(6),所述保温层(6)外侧设置有炉体(7)。本发明一种硅芯方锭铸锭炉热场结构,它通过增加了下侧加热器和顶层加热器,能够对坩埚内硅料进行有效加热,并且能够方便的调节垂直方向的温度梯度场,通过外侧保温层控制散热,使硅能定向结晶,其结晶凝固过程得到有效控制,提高了多
一种防粘锅断锭的硅芯方锭制造工艺.pdf
本发明涉及一种防粘锅断锭的硅芯方锭制造工艺,所述工艺包括以下步骤:步骤一、坩埚喷涂步骤二、配料,然后将配好的硅料装入条形坩埚;步骤三、铸锭加热前需对炉体进行抽真空作业,在加热和长晶过程中炉体内持续通入氩气进行保护,加热硅料熔化过程中氩气的进气速度为30L/min,在长晶过程中氩气的进气速度为20L/min;步骤四、退火;步骤五、出炉脱模。本发明一种防粘锅断锭的硅芯方锭制造工艺,它在坩埚内硅料熔化后液面高度位置处通过毛刷涂覆第一氮化硅涂层,涂层致密性较热喷涂方式大大提高,能够有效抵抗硅料熔化热对流冲击,防止
多晶硅锭及其铸造方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅锭及其铸造方法,应用于仅具有顶部加热器且散热台底部周边设置有保温底板的铸锭炉,包括:将硅料装载在坩埚内,加热硅料至熔融状态;降低多晶硅铸锭炉顶部加热器的功率,同时逐步打开百叶至25°-35°角,将熔融状态的硅液表面温度降至1400℃-1450℃,使底部硅液开始准备结晶;百叶继续逐步打开至最大开度90°角,保持稳定的硅液结晶速率,其中,百叶的打开速率小于第二步骤中百叶的打开速率,且逐渐变小;维持百叶最大开度,直至结晶完成。本发明通过改变多晶硅定向长晶的工艺,解决了硅锭四周杂质分散分布的