一种晶体生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110512272A(43)申请公布日2019.11.29(21)申请号201910713139.3(22)申请日2019.08.02(71)申请人合肥嘉东光学股份有限公司地址230000安徽省合肥市高新区黄山路626号高新集团大楼318室(72)发明人胡卫东杨利涛刘侃王冬(74)专利代理机构合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)34119代理人黄乐瑜(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种晶体生长炉(57)摘要本发明提出的一种晶体生长炉，包括炉体，炉体包括壳体、内筒体和至少一个隔热毡，内筒体采用绝缘保温材料制成，隔热毡设置在内筒体内并将内筒体隔成多个温度区，每个隔热毡中部均设有用于容纳籽晶杆和晶体通过的通孔，每个温度区设有用于测量该区温度的温度传感器，每个温度区的内筒体内侧均设有用于加热该温度区的加热组件，每个温度区对应内筒体和壳体之间设有用于冷却该温度区的冷却组件，每个温度区内设有至少一个导热杆，导热杆穿过内筒体与冷却组件固定连接。本发明可自动调节不同温度区的温度，形成适合晶体生长所需的温度梯度，提高晶体质量。CN110512272ACN110512272A权利要求书1/1页1.一种晶体生长炉，其特征在于，包括炉体，炉体包括壳体(1)、内筒体(8)、至少一个隔热毡(4)和控制器，内筒体(8)采用绝缘保温材料制成，隔热毡(4)设置在内筒体(8)内并将内筒体(8)隔成多个温度区，每个隔热毡(4)中部均设有用于容纳籽晶杆和晶体通过的通孔，每个温度区设有用于测量该区温度的温度传感器；每个温度区的内筒体(8)内侧上均设有用于加热该温度区的加热组件，每个温度区对应的内筒体(8)和壳体(1)之间设有用于冷却该温度区的冷却组件，每个温度区内设有至少一个导热杆(7)，导热杆(7)穿过内筒体(8)与冷却组件固定连接；温度传感器信号连接控制器，控制器分别控制连接每个温度区的加热组件和冷却组件。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，加热组件包括环设于内筒体(8)内侧的发热体(10)和环设于发热体(10)和内筒体(8)内壁之间的感应加热圈(9)，控制器控制连接感应加热圈(9)。3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，冷却组件包括冷却管道(5)，冷却管道(5)底部设有进液口，冷却管道(5)上端设有出液口，冷却管道(5)上设有散热板(6)，导热杆(7)与散热板(6)固定连接。4.根据权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，还包括循环组件，循环组件包括冷水箱、循环泵和冷凝器，冷水箱、循环泵和进液口依次通过管道连接，出液口、冷凝器和冷水箱依次通过管道连接，循环泵和进液口之间的管道上设有进液阀，出液口和冷凝器之间的管道上设有出液阀，控制器分别控制连接循环泵、进液阀、出液阀和冷凝器。5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，出液阀和进液口之间的管道上设有流量调节阀，控制器控制连接流量调节阀。6.根据权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，壳体内侧依次设有第一保温层(2)和第二保温层(3)，每一个冷却组件的冷水管道(5)的进液端设置在第一保温层(2)和第二保温层(3)之间。7.根据权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，冷却管道(5)为高热传导率的金属管，外部套有波纹管。8.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，隔热毡(4)为硬质石墨碳毡。9.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，进液阀和出液阀均为电磁阀。2CN110512272A说明书1/3页一种晶体生长炉技术领域[0001]本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种晶体生长炉。背景技术[0002]使用晶体生长炉生产不同晶体时，需要不同的温度场，而一般的晶体生长炉的温度场一般固定不能根据所要生长的晶体进行调节。发明内容[0003]基于背景技术存在的技术问题，本发明提出的一种晶体生长炉，以自动调节温度梯度。[0004]本发明提出的一种晶体生长炉，包括炉体，炉体包括壳体、内筒体、至少一个隔热毡和控制器，内筒体采用绝缘保温材料制成，隔热毡设置在内筒体内并将内筒体隔成多个温度区，每个隔热毡中部均设有用于容纳籽晶杆和晶体通过的通孔，每个温度区设有用于测量该区温度的温度传感器；[0005]每个温度区的内筒体内侧均设有用于加热该温度区的加热组件，每个温度区对应的壳体和内筒体之间设有用于冷却该温度区的冷却组件，每个温度区内设有至少一个导热杆，导热杆穿过内筒体与冷却组件固定连接；[0006]温度传感器信号连接控制器，控制器分别控制连接每个温度区的加热组件和冷却组件。[0007]优选地，加热组件包括环设于内筒体内侧的发热体和环设于发热体和内筒体内壁之间