光纤预制棒生产工艺及其光纤预制棒.pdf
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光纤预制棒生产工艺及其光纤预制棒.pdf
本发明提供的一种光纤预制棒生产工艺,包括以下步骤:1)预制棒沉积工序:采用OVD工艺对芯棒进行沉积烧结,生成的二氧化硅微粒附着在种棒上形成松散体基体;2)预制棒脱水工序:转动烧结炉内的松散体基体,往烧结炉内通入惰性气体和氯气,然后升温至1270‑1350℃,保温3‑5h;3)预制棒玻璃化工序:减少氯气,自转松散体基体,然后升温至1480‑1600℃,保温5‑7h,完成玻璃化处理。本发明使得能够在保证衰减合格条件下,将芯棒T/A值控制下限降低;提升芯棒与预制棒的最高转换率。降低了单位预制棒芯棒单耗,降低预制
光纤预制棒的加工方法以及光纤预制棒.pdf
本申请公开了光纤预制棒的加工方法以及光纤预制棒,其中,光纤预制棒的加工方法包括以下步骤:1)在VAD反应釜的外部上方设置侧壁内具有换热通道的废热利用管,将VAD反应釜的排废管的出口与废热利用管连接,在VAD反应釜的排废管上设置过滤装置;2)在VAD反应釜中进行沉积反应,制得的芯棒松散体穿过废热利用管;3)对芯棒松散体进行干燥和烧结,得到芯棒;4)在芯棒的外部沉积包层,得到预制棒松散体;5)对预制棒松散体进行烧结,得到光纤预制棒。本申请通过设置与排废管连通的废热利用管,能够将废热输入至换热通道,从而能够加热
光纤预制棒的制造设备、方法及光纤预制棒.pdf
一种光纤预制棒的制造设备、方法及光纤预制棒,包括沉积组件,用于对靶棒进行沉积以形成芯棒,所述光纤预制棒的制造设备还包括熔缩组件,所述熔缩组件包括熔缩炉及套管组件,所述芯棒同轴固定于所述套管组件中,所述熔缩炉包括炉体及沿所述炉体长度方向设置的第一加热体及第二加热体,所述炉体包括上炉温区及下炉温区,所述第一加热体对应所述上炉温区设置,所述第二加热体对应所述下炉温区设置,所述套管组件移动设置于所述上炉温区及所述下炉温区中,以对芯棒进行熔缩及拉伸处理。上述光纤预制棒的制造设备及方法能生产出低水峰弯曲不敏感的光纤预
光纤预制棒制造设备及光纤预制棒制造方法.pdf
本发明属于光纤预制棒技术领域,公开了光纤预制棒制造设备及光纤预制棒制造方法,光纤预制棒制造设备的机架具有沿第一方向延伸的导轨,并用于安装石英管,进料系统用于向石英管内输送化学前驱物,沉积炉滑动设置于导轨,并能够沿导轨往复运动,以使化学前驱物沉积于石英管的内壁,以完成沉积;熔缩炉滑动设置于导轨,并能够沿导轨往复运动,以使石英管熔缩为实心棒,以完成熔缩,从而使石英管的沉积和熔缩能够在同一设备上进行,沉积过程和熔缩过程之间无需拆装、转运石英管,简化了加工流程,同时避免石英管的转运过程中,管材会受到环境影响而导致
光纤预制棒及其制备方法.pdf
本发明提供一种光纤预制棒的制备方法,包括以下步骤:采用气相沉积工艺制备芯层和内包层,沉积过程中在芯层中通入包含碱金属的掺杂物,形成含碱金属的硅芯层,纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒;将粉末棒放置在烧结炉中进行脱羟及玻璃化烧结;采用掺氟工艺依次制备沟渠层、中包层及辅助中包层;采用气相沉积工艺或纯二氧化硅套管工艺制备外包层,得到光纤预制棒。本发明提供的光纤预制棒的制备方法有效改善芯层、内包层及两者边界之间的粘度匹配性,降低光纤损耗。