氧化锆陶瓷材料、氧化锆陶瓷结构件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110655401A(43)申请公布日2020.01.07(21)申请号201810690971.1(22)申请日2018.06.28(71)申请人东莞信柏结构陶瓷股份有限公司地址523000广东省东莞市塘厦镇石潭埔塘清西路28号(72)发明人吴国亮郭剑刘锋唐杰(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人崔明思(51)Int.Cl.C04B35/488(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/64(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称氧化锆陶瓷材料、氧化锆陶瓷结构件及其制备方法(57)摘要本发明公开了氧化锆陶瓷材料、氧化锆陶瓷结构件及其制备方法。上述氧化锆陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将陶瓷原料制备成陶瓷生坯；S2、将陶瓷生坯在600℃-900℃温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；S21、将陶瓷素坯置于烧结炉中，烧结炉升温至1350℃-1500℃，耗时35h-60h；S3、将陶瓷素坯、烧坯置于密闭的热等静压炉中，向热等静压炉中充入氩气，使热等静压炉的压力达到100Mpa-250Mpa，逐步升温至1050℃-1250℃，保温0.5h-4h；得到氧化锆陶瓷结构件。本发明所述陶瓷材料的制备方法，制备的氧化锆陶瓷材料具有强度高、韧性好等特点。CN110655401ACN110655401A权利要求书1/1页1.一种氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将陶瓷原料制成陶瓷生坯；S2、将所述陶瓷生坯在600℃-900℃温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；S3、将所述陶瓷素坯置于密闭的热等静压炉中，向所述热等静压炉中充入氩气，以使所述热等静压炉的压力达到100Mpa-250Mpa，将所述热等静压炉逐步升温至1050℃-1250℃，保温0.5h-4h；然后以1℃/min-15℃/min的速度降至室温，得到氧化锆陶瓷材料。2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体是：将陶瓷粉体进行球磨，再加入溶剂、分散剂、粘合剂等原料，得到陶瓷浆料，对所述陶瓷浆料进行脱泡处理，然后通过流延法制备成陶瓷生坯。3.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体是：将陶瓷粉体进行球磨，再加入溶剂、分散剂、粘合剂等原料，得到陶瓷浆料，然后进行造粒，通过干压成型为陶瓷生坯。4.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体是：将陶瓷粉体与注塑用胶料进行密炼，得到注射喂料，然后将喂料通过注射成型，再置于煤油溶剂中泡油脱脂预设时间，得到陶瓷生坯。5.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：当采用流延法制备成所述陶瓷生坯后，所述步骤S1之后，还具有步骤S10：将所述陶瓷生坯进行冲切，形成预设的形状。6.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述热等静压炉的升温速度为1℃/min-15℃/min。7.一种氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将陶瓷原料通过干压成型、流延成型或注塑成型制成陶瓷生坯；S2、将所述陶瓷生坯在600℃-900℃温度条件下进行排胶，得到陶瓷素坯；S21、将所述陶瓷素坯置于烧结炉中，所述烧结炉升温至1350℃-1500℃，保温0.5h-5h，得到陶瓷烧坯；S3、将所述陶瓷烧坯置于密闭的热等静压炉中，向所述热等静压炉中充入氩气，以使所述热等静压炉的压力达到100Mpa-250Mpa，将所述热等静压炉逐步升温至1050℃-1250℃，保温0.5h-4h；然后以1℃/min-15℃/min的速度将所述热等静压炉的温度降至室温，得到氧化锆陶瓷材料。8.根据权利要求7所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述热等静压炉的升温速度为1℃/min-15℃/min。9.一种氧化锆陶瓷材料，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的氧化锆陶瓷材料的制备方法制成。10.一种氧化锆陶瓷结构件，其特征在于，由权利要求9所述的氧化锆陶瓷材料制成。2CN110655401A说明书1/6页氧化锆陶瓷材料、氧化锆陶瓷结构件及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷结构件制备技术领域，具体涉及氧化锆陶瓷材料、氧化锆陶瓷结构件及其制备方法。背景技术[0002]氧化锆陶瓷材料由于其具有高韧性、高抗弯强度、高耐磨性、防水、防锈的特点，越来越多地替代金属等材料，应用于手机后盖、模具等多个领域。特别地，随着近些年智能手机行业的飞速发展，白色、黑色、彩色氧化锆陶瓷手机后盖日益受到消费者的追捧，且对材料的强度及韧性也提出了更高的要