3D陶瓷后盖及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110744676A(43)申请公布日2020.02.04(21)申请号201911021289.4C04B35/622(2006.01)(22)申请日2019.10.25H04M1/02(2006.01)(71)申请人东莞信柏结构陶瓷股份有限公司地址523000广东省东莞市塘厦镇石潭埔塘清西路28号(72)发明人郭剑曾绍娟唐杰牟其兰刘锋彭朝阳(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人郎伊琳(51)Int.Cl.B28B1/29(2006.01)B28B11/08(2006.01)B28B11/12(2006.01)C04B35/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称3D陶瓷后盖及其制备方法(57)摘要本发明公开了3D陶瓷后盖及其制备方法。上述的3D陶瓷后盖的制备方法，包括如下步骤：制作陶瓷平板；将所述陶瓷平板的表面进行研磨；在所述陶瓷平板的四个角处各开一槽；在所述陶瓷平板上开设摄像头孔；将所述陶瓷平板置于热弯模具内，所述热弯模具内的定位部件穿设于所述摄像头孔，以对所述陶瓷平板进行定位，将所述热弯模具置于炉体中，加热所述炉体，保温预设时间，所述陶瓷平板形成陶瓷后盖坯体；将所述陶瓷后盖坯体进行后处理，得3D陶瓷后盖；3D陶瓷后盖由上述制备方法制成。本发明的3D陶瓷后盖的制备方法良率高、制作成本低。CN110744676ACN110744676A权利要求书1/1页1.一种3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制作陶瓷平板；将所述陶瓷平板的表面进行研磨；在所述陶瓷平板的四个角处各开一槽；在所述陶瓷平板上开设摄像头孔；将所述陶瓷平板置于热弯模具内，所述热弯模具内的定位部件穿设于所述摄像头孔，以对所述陶瓷平板进行定位，将所述热弯模具置于炉体中，加热所述炉体，保温预设时间，所述陶瓷平板形成陶瓷后盖坯体；将所述陶瓷后盖坯体进行后处理，得3D陶瓷后盖。2.根据权利要求1所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述制作陶瓷平板的步骤具体是：将氧化锆粉体溶于溶剂中，加入分散剂、粘结剂以及增塑剂，经球磨混合得到流延浆料，将所述流延浆料过滤、真空脱泡后流延成氧化锆陶瓷生带，将所述氧化锆陶瓷生带冲切后进行排胶、脱脂，然后烧结成陶瓷平板。3.根据权利要求2所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述陶瓷生带的厚度为0.2mm-1.25mm。4.根据权利要求2所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述排胶的温度为800℃-1200℃，所述烧结的温度为1400℃-1500℃，所述炉体的温度为1300℃-1500℃。5.根据权利要求1所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述将所述陶瓷平板的表面进行研磨的步骤具体是，采用双面研磨机将所述陶瓷平板的表面进行研磨，至所述陶瓷平板的表面光滑且所述陶瓷平板的各处厚度一致。6.根据权利要求1所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述槽的深度为0.5mm-2mm。7.根据权利要求1或6所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述在所述陶瓷平板的四个角处各开一槽的步骤具体是，采用CNC设备在所述陶瓷平板的四个角处各开一槽。8.根据权利要求1所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述将所述陶瓷平板的表面进行研磨的步骤与在所述陶瓷平板的四个角处各开一个槽的步骤之间，还具有如下步骤：将所述陶瓷平板采用CNC设备处理成预设的尺寸。9.根据权利要求1所述的3D陶瓷后盖的制备方法，其特征在于，所述将所述陶瓷后盖坯体进行后处理的步骤具体是，以四个所述的槽中最低的槽底位置沿平行于所述陶瓷后盖坯体的平板部分的方向切除所述陶瓷后盖坯体的部分边缘。10.一种3D陶瓷后盖，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的3D陶瓷后盖的制备方法制成。2CN110744676A说明书1/4页3D陶瓷后盖及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及数码产品周边技术领域，具体涉及3D陶瓷后盖及其制备方法。背景技术[0002]传统的3D氧化锆陶瓷手机后盖制备方法有两种，一种是氧化锆粉喷雾造粒经干压和等静压成型然后CNC加工成品形状尺寸,该方法原材料使用多，加工余量大、加工时间长,成材率低。另一种为直接注塑成型，该方法工艺复杂，成材率较低，烧结后材料强度低，同样也存在CNC加工余量大、加工时间长的问题。[0003]目前有一些厂家采用先制备成陶瓷平板，再采用模具制备成成品的方法。但仍存在产品易发生褶皱、开裂、大小边、尺度错位等问题，导致产品良率低；且后期需要采用大量的抛光和CNC处理，制作成本高。发明内容[0004]基于此，本发明有必要提供一种良率高、制作成本低的3D陶瓷后盖的制备方法。[0005]本发明