一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110923804A(43)申请公布日2020.03.27(21)申请号201911109168.5(22)申请日2019.11.13(71)申请人苏州三原流体科技有限公司地址215151江苏省苏州市高新区浒青路156号(72)发明人钱万勇(74)专利代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411代理人赵瑞鹏(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管(57)摘要本发明提供一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，涉及单晶硅生长炉技术领域，包括第一水冷管、第二水冷管和第三水冷管，所述第一水冷管包括第一冷却段、第一出口和第一进口；所述第二水冷管包括第二冷却段、第二出口和第二进口；所述第三水冷管包括第三冷却段、第三出口和第三进口；所述第一冷却段、第二冷却段和第三冷却段均呈圆形结构。通过采用三条水冷管道，实现单晶硅生长炉底板上多个零器件的局部降温，有效改善了底板上零器件的工作环境，进而延长了零器件的工作寿命，进而降低生产成本。CN110923804ACN110923804A权利要求书1/1页1.一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，包括第一水冷管、第二水冷管和第三水冷管，所述第一水冷管包括第一冷却段、第一出口和第一进口；所述第二水冷管包括第二冷却段、第二出口和第二进口；所述第三水冷管包括第三冷却段、第三出口和第三进口；所述第一冷却段、第二冷却段和第三冷却段均呈圆形结构，所述第一冷却段的内径大于所述第二冷却段的外径，所述第二冷却段的内径大于所述第三冷却段的外径，所述第一冷却段、第二冷却段和第三冷却段位于同一平面上。2.根据权利要求1所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第一进口与所述第一出口平行，所述第一进口与所述第一冷却段垂直，所述第二进口与所述第二出口平行，所述第二进口与所述第二冷却段垂直，所述第三进口与所述第三出口平行，所述第三进口与所述第三冷却段垂直。3.根据权利要求2所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第一冷却段设有若干个折弯，所述折弯沿所述第一冷却段的外径周向均匀分布。4.根据权利要求3所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述折弯朝向所述第一冷却段圆心方向弯曲，所述折弯的数量为7个。5.根据权利要求4所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第一出口和所述第一进口设置在所述第一冷却段的内侧，所述第一冷却段还设有第一缺口。6.根据权利要求5所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第二出口和所述第二进口设置在所述第二冷却段的内侧，所述第二冷却段设有第二缺口，所述第一缺口与所述第二缺口交错分布。7.根据权利要求6所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第二冷却段的内侧与外侧平行。8.根据权利要求7所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第三出口和所述第三进口设置在所述第三冷却段的外侧，所述第三冷却段设有多个第三缺口，所述缺口位于同一直线上。9.根据权利要求8所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述第三冷却段包括呈对称设置的第一折弯、第二折弯、第三折弯和第四折弯，所述第一折弯、第二折弯、第三折弯和第四折弯沿所述第一冷却段的轴向方向由外到内依次排列。10.根据权利要求9所述的用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，其特征在于，所述套环式水冷管由不锈钢材质制成，所述套环式水冷管为精轧管。2CN110923804A说明书1/4页一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管技术领域[0001]本发明涉及单晶硅生长炉技术领域，特别涉及一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管。背景技术[0002]单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备，主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成，其中主机部分还包括机架、双层水冷式结构炉体、水冷式阀座、晶体提升旋转机构、坩埚提升旋转机构、氩气系统、真空系统及自动炉压检测控制、水冷系统及多种安全保障装置和加料口。[0003]单晶硅生长炉由于其本身具有较高的温度，所以需要进行多处进行冷却，例如现有的单晶硅生产炉均设置了水层水冷式结构炉体。但实际生产应用中发现，在单晶硅生长炉底部下方的底板设置有各种电子检测器件、气体导入口和电线口，由于距离单晶硅生长炉的距离相对较近，其工作环境温度仍然较高，对器件的工作效率和工作寿命产生了极大影响，但由于该位置结构复杂，尚未发现有效的冷却方案以解决上述问题。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管，在不影响单晶硅生长