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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111001483A(43)申请公布日2020.04.14(21)申请号201911405181.5(22)申请日2019.12.31(71)申请人四川永祥多晶硅有限公司地址614800四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号(72)发明人朱勇兵陈井建杨成冉祎汪云清(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王小清(51)Int.Cl.B02C19/18(2006.01)B02C23/02(2006.01)B02C23/04(2006.01)B02C23/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法(57)摘要本发明公开了一种多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法,该系统中:上料机构用于将多晶硅送入真空箱内;输送机构用于将多晶硅从真空箱送入加热炉内,且用于将加热炉内的多晶硅送入第一水箱;真空箱上设置有上料门和前段炉门,上料门打开则允许上料机构上料,前段炉门打开则允许输送机构将多晶硅送入加热炉内,上料门和前段炉门关闭则真空箱形成密封空间;加热炉用于对多晶硅进行加热,加热炉上设置有后段炉门,前段炉门和后段炉门关闭则加热炉形成封闭空间;第一水箱用于盛放冷却水,且位于后段转运室的下方。本发明能够大幅减少产品损耗,且具有较高的生产效率,和较低的安全风险。CN111001483ACN111001483A权利要求书1/2页1.一种多晶硅破碎系统,其特征在于,包括上料机构(1)、真空箱(5)、加热炉(7)、后段转运室(10)、第一水箱(11)和输送机构,其中:所述上料机构(1)用于将待破碎的多晶硅从上料台送入所述真空箱(5)内;所述输送机构用于将所述多晶硅从所述真空箱(5)送入所述加热炉(7)内,且用于将所述加热炉(7)内的所述多晶硅送入所述第一水箱(11);所述真空箱(5)上与所述上料机构(1)靠近的位置设置有上料门(2),所述真空箱(5)上与所述加热炉(7)连接的位置设置有可开闭的前段炉门,所述上料门(2)打开则允许所述上料机构(1)上料,所述前段炉门打开则允许所述输送机构将所述多晶硅送入所述加热炉(7)内,所述上料门(2)和所述前段炉门关闭则所述真空箱(5)形成密封空间;所述加热炉(7)用于对所述多晶硅进行加热,所述加热炉(7)上与所述后段转运室(10)连接的位置设置有后段炉门,所述前段炉门和所述后段炉门关闭则所述加热炉(7)形成封闭空间;所述第一水箱(11)用于盛放冷却水,且位于所述后段转运室(10)的下方。2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述加热炉(7)内设置有石英材质的内衬,并设置有电加热元件;和/或,所述后段转运室(10)的下方设置有可开闭的下料门,所述后段炉门和所述下料门关闭则所述后段转运室(10)构成封闭空间;和/或,所述真空腔(5)上设置有观察窗(4);和/或,所述冷却水为被氮气或氩气保护的超纯水。3.根据权利要求1所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述输送机构包括:用于将所述多晶硅从所述真空箱(5)送入所述加热炉(7)内的第一输送机构;用于将所述多晶硅从所述加热炉(7)的前段运到所述后段转运室(10)的第二输送机构;用于将所述第二输送机构上的所述多晶硅送入所述第一水箱(11)内的第三输送机构。4.根据权利要求3所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述第一输送机构包括竖直送料机构和水平送料机构;所述竖直送料机构用于将所述多晶硅从所述上料门(2)所在的高度升高到所述前段炉门所在的高度;所述水平送料机构用于将所述多晶硅从所述前段炉门推入所述加热炉(7)内。5.根据权利要求3所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述第二输送机构为设置在所述加热炉(7)下侧的步进式水平输送机构。6.根据权利要求3所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述第三输送机构为用于将放置有所述多晶硅的舟皿按照预设角度进行翻转的翻转机构。7.根据权利要求6所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述翻转机构包括转轴和用于驱动所述转轴按照预设角度转动的翻转驱动装置,其中:所述转轴的一端位于所述后段转运室(10)的外侧,且与所述翻转驱动装置连接;所述转轴的另一端位于所述后段转运室(10)内,且设置有用于顶起所述盘皿一侧使其按照预设角度进行翻转的顶起结构。8.根据权利要求1至7任一项所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,所述真空箱(5)和所2CN111001483A权利要求书2/2页述加热炉(7)上,外接设置有用于对所述真空箱(5)和所述加热炉(7)分别进行抽真空的抽真空系统,以及用于将惰性气体分别充入真空箱(5)和所述加热炉(7)内的充气系统。9.根据权利要求1至7任一项所述的多晶硅破碎系统,其特征在于,还包括回收通道