多晶硅棒破碎系统及破碎方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114308317A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111584787.7B02C23/02(2006.01)(22)申请日2021.12.22F25D31/00(2006.01)H05B6/36(2006.01)(71)申请人亚洲硅业（青海）股份有限公司地址810007青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号申请人青海亚洲硅业半导体有限公司青海省亚硅硅材料工程技术有限公司(72)发明人杨明财鲍守珍任长春宗冰王生红(74)专利代理机构北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11394代理人孔鹏(51)Int.Cl.B02C19/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称多晶硅棒破碎系统及破碎方法(57)摘要本申请提供一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法，涉及多晶硅生产技术领域。多晶硅棒破碎系统包括运输室、加热室、冷却室、破碎室和搬运机构，运输室、加热室、冷却室和破碎室依次连通，加热室具有加热机构，冷却室具有冷却机构，破碎室具有破碎机构，加热机构包括固定于加热室的加热感应线圈，多晶硅棒能够在传输机构的传输过程中穿过加热感应线圈；运输室、加热室、冷却室和破碎室设置有传输机构，传输机构能够将多晶硅棒在运输室、加热室、冷却室和破碎室依次传输；搬运机构用于将还原炉内的具有余热的多晶硅棒直接搬运至运输室的传输机构进行传输。多晶硅棒破碎系统能够改善多晶硅棒被污染的情况，且破碎方法还能够减少细粉的产生，减少能量的损失。CN114308317ACN114308317A权利要求书1/1页1.一种多晶硅棒破碎系统，其特征在于，包括运输室、加热室、冷却室、破碎室和搬运机构，所述运输室、所述加热室、所述冷却室和所述破碎室依次连通，所述加热室具有加热机构，所述冷却室具有冷却机构，所述破碎室具有破碎机构；所述加热机构包括固定于所述加热室的加热感应线圈，所述多晶硅棒能够在传输机构的传输过程中穿过所述加热感应线圈；所述运输室、所述加热室、所述冷却室和所述破碎室设置有传输机构，所述传输机构能够将多晶硅棒在所述运输室、所述加热室、所述冷却室和所述破碎室依次传输；所述搬运机构用于将还原炉内的具有余热的多晶硅棒直接搬运至所述运输室的所述传输机构进行传输。2.根据权利要求1所述的多晶硅棒破碎系统，其特征在于，所述传输机构包括传输带以及安装于所述传输带上的支撑件，所述支撑件被构造成能够相对所述传输带进行升降。3.根据权利要求1所述的多晶硅棒破碎系统，其特征在于，所述加热室具有用于通入保护气的进气口和用于排出所述保护气的出气口。4.根据权利要求1～3任一项所述的多晶硅棒破碎系统，其特征在于，所述冷却室的上部安装有喷淋管，所述冷却室的底壁开设有出水口。5.根据权利要求1～3任一项所述的多晶硅棒破碎系统，其特征在于，所述加热感应线圈设置有冷却通道，且所述加热感应线圈设置于石英管中。6.一种多晶硅棒的破碎方法，其特征在于，其利用权利要求1～5任一项所述的多晶硅棒破碎系统进行，其包括以下步骤：还原炉停止运行后，分别用热氢气和热氮气进行置换，置换合格后打开钟罩，利用所述搬运机构将所述还原炉内的具有余热的多晶硅棒搬运至所述运输室内的所述传输机构，通过所述传输机构运输至所述加热室利用加热机构对所述多晶硅棒进行加热，再运输至所述冷却室利用所述冷却机构对加热后的所述多晶硅棒进行冷却，然后再运输至所述破碎室利用破碎机构将所述多晶硅棒破碎。7.根据权利要求6所述的多晶硅棒的破碎方法，其特征在于，所述热氢气和所述热氮气的温度为100～250℃。8.根据权利要求6所述的多晶硅棒的破碎方法，其特征在于，所述加热感应线圈内部通入冷却水，且所述加热感应线圈至于石英管中。9.根据权利要求6所述的多晶硅棒的破碎方法，其特征在于，所述多晶硅棒被运输至所述加热室时，通入保护气体。10.根据权利要求9所述的多晶硅棒的破碎方法，其特征在于，所述保护气体包括氩气和氦气中的至少一种。2CN114308317A说明书1/5页多晶硅棒破碎系统及破碎方法技术领域[0001]本申请涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法。背景技术[0002]多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。目前多晶硅的主流制备过程包括：将冶金级硅粉通过改良西门子法，在CVD反应器中采用硅芯载体电加热的方式，气相沉积制得多晶硅棒，多晶硅棒经破碎获得块状硅材料用于拉制单晶硅棒。多晶硅棒破碎过程的污染问题是企业关注的一个焦点。目前多晶硅破碎主要由人工或机械破碎，人工破碎存在许多弊端，劳动强度大，效率低，敲击破碎时产生的汗渍等交叉污染容易造成硅棒表面沾污，影响产品质量，同时因硅棒硬度较高，破碎锤反复敲击多晶