一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111172585A(43)申请公布日2020.05.19(21)申请号201811340095.6(22)申请日2018.11.12(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区临港新城云水路1000号(72)发明人沈伟民范进王刚陈伟德(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人董巍高伟(51)Int.Cl.C30B15/16(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉(57)摘要本发明提供一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉，所述反射屏包括内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。本发明提供的单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉能够降低反射屏外筒对内筒的传热，以提高晶棒的纵向温度梯度，防止或减少从硅液面蒸发的硅氧化物蒸汽在反射屏外筒上凝聚，从而减少氧化物落入硅液产生杂质而发生多晶化，同时由于减少了不必要的传热，因而还能够降低单晶生长过程中所需的加热功率。CN111172585ACN111172585A权利要求书1/1页1.一种单晶生长炉的反射屏，其特征在于，所述反射屏包括内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。2.根据权利要求1所述的反射屏，其特征在于，所述隔热垫的材料包括石英。3.根据权利要求2所述的反射屏，其特征在于，所述石英经过涂层处理。4.根据权利要求1所述的反射屏，其特征在于，所述隔热垫的数目为至少一个。5.根据权利要求1所述的反射屏，其特征在于，所述隔热垫包括设置于所述内筒底部的第一隔热垫和/或设置于所述内筒顶部的第二隔热垫。6.根据权利要求1所述的反射屏，其特征在于，所述隔热垫包括设置于所述内筒顶部的第二隔热垫，所述反射屏包括倒锥形的主体和所述主体上端向外延伸的外沿部，所述第二隔热垫还包括填充于所述内筒和所述外筒之间的位于所述外沿部中的部分。7.根据权利要求1所述的反射屏，其特征在于，所述内筒和/或所述外筒的材料包括碳素纤维和/或石墨烯。8.一种单晶生长炉，其特征在于，所述单晶生长炉包括：炉体；坩埚，位于所述炉体内；以及根据权利要求1至7中任一项所述的反射屏，所述反射屏位于所述坩埚的上方。2CN111172585A说明书1/5页一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉。背景技术[0002]随着科技的发展、新电子产品的不断出现，对大直径单晶硅的需求量增长迅速。单晶硅晶体的生长方法主要包括直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法用于生长单晶硅棒材，外延法用于生长单晶硅薄膜。其中，直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等，是目前最常见的单晶硅生长方法。[0003]直拉法制备单晶硅，即在单晶生长炉中，使籽晶浸入容置于坩埚的硅熔体中，在转动籽晶及坩埚的同时提拉籽晶，以在籽晶下端依次进行引晶、放肩、转肩、等径及收尾，获得单晶硅晶棒。单晶生长炉中反射屏的使用能够阻止石英坩埚以及坩埚内的硅溶液对硅晶体表面进行的热辐射，增大晶棒在纵向的温度梯度，控制合适的生长速度，控制晶体的内部缺陷，如COP(CrystalOriginatedParticle，晶体原生颗粒)等，还可通过对从晶体生长炉上部导入的惰性气体进行导流，使之以较大的流速通过硅溶液表面，达到控制晶体内的氧含量和杂质含量的效果。然而，现有的反射屏不能有效阻隔外筒对内筒的传热作用。[0004]因此，有必要提出一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉，以解决上述问题。发明内容[0005]在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。[0006]针对现有技术的不足，本发明提供一种单晶生长炉的反射屏，所述反射屏包括：内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。[0007]示例性地，所述隔热垫的材料包括石英。[0008]示例性地，所述石英经过涂层处理。[0009]示例性地，所述隔热垫的数目为至少一个。[0010]示例性地，所述隔热垫包括设置于所述内筒底部的第一隔热垫和/或设置于所述内筒顶部的第二隔热垫。[0011]示例性地，所述隔热垫包括设置于所述内筒顶部的第二隔热垫，所述反射屏包括倒锥形的主体和所述主体上端向外延伸的外沿部，所述