一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111430506A(43)申请公布日2020.07.17(21)申请号202010315150.7(22)申请日2020.04.21(71)申请人天合光能股份有限公司地址213031江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号申请人天合光能（常州）科技有限公司(72)发明人陈达明陈奕峰王尧刘成法邹杨龚剑夏锐殷丽(74)专利代理机构浙江永鼎律师事务所33233代理人郭小丽(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/028(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法(57)摘要本发明提供了一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法，属于光伏技术领域。它将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。本发明提出采用氧化铝钝化硅片表面边缘，同时氧化铝薄膜不会覆盖电池主栅的方法来降低电池激光切割面的载流子复合速率的方法。CN111430506ACN111430506A权利要求书1/1页1.一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。2.一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐后形成电池堆，在电池堆的上、下表面分别设置一块上挡板和下挡板，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的电池堆中的各太阳电池的切面断面形成的平面与水平面垂直，上挡板遮盖住电池堆最上方的太阳电池的正面主栅线，下挡板遮盖住电池堆最下方的太阳电池的背面主栅线。4.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，当太阳电池放入到片盒中时，太阳电池的切片断面完全裸露在片盒外。5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的电池堆包含2-1000片太阳电池。6.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的太阳电池是将整块的电池采用激光刻划加机械裂片的方式一分为二后形成。7.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，电池堆中的太阳电池相同的面朝向同一个方向从而使太阳电池紧密贴合，两块相邻的太阳电池之间的间隙为5-30um。8.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的氧化铝薄膜镀膜方式为原子层沉积或等离子增强化学气相沉积，氧化铝薄膜厚度为2-30nm。9.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，电注入退火炉中退火温度为100-500℃，退火时间为5-180min。10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法制造的晶体硅太阳电池，包括太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池的切片断面边缘镀覆有一层氧化铝薄膜。2CN111430506A说明书1/3页一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法技术领域[0001]本发明属于光伏技术领域，涉及一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法。背景技术[0002]近几年来，随着切半组件、叠瓦组件等新型组件技术的兴起，在制作组件时需要将一块电池分割成两片或多片。工业应用时分割太阳电池的方式一般有激光刻划加机械裂片、热激光低损伤裂片两种方式。电池裂开的断面表面复合速率很大，会对太阳电池的电性能产生较大的影响。例如用激光划片方式将PERC太阳电池一分为二后，其半片电池因边缘复合增加效率降低0.1-0.2％abs；用激光划片方式将接触钝化电池(TOPCon电池)一份为二后，其半片电池效率降低0.2-0.3％abs；异质结太阳电池的开路电压更高，经过激光裂片后效率降低更多。激光裂片导致的太阳电池效率降低也将导致组件功率降低。[0003]为了降低这种损失，其中一种方法是对边缘进行钝化。现有技术多采用二氧化硅钝化硅片边缘，如中国专利一种抑制晶体硅太阳电池激光切半后效率降低的方法[申请号：201811363985.9]，是将切半后的电池片放入链式、箱式或管式加热炉中在150-500℃条件下进行氧化，采用二氧化硅钝化硅片边缘，但这种方法在载流子复合速率的提高上还