一种钴钽锆靶材的制备方法.pdf
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一种钴钽锆靶材的制备方法.pdf
本发明揭示了一种钴钽锆靶材的制备方法,包括以下步骤:按照靶材所需的配比称量Co、Zr和Ta原材料,将原材料装入磁悬浮感应熔炼炉的水冷坩埚内,得到混合物料;将混合物料进行熔炼后得到合金锭;将合金锭进行精炼后得到合金熔体;将合金熔体进行浇铸后得到铸锭;将铸锭进行热轧后得到靶坯;将靶坯进行机加工后得到靶材。本发明提供的一种钴钽锆靶材的制备方法,通过结合熔炼、精炼两种不同的方式制备钴钽锆合金靶材,能有效解决现有技术制备钴钽锆合金靶材纯度底、晶粒大小分布不均且工艺复杂的技术问题。
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。
高纯钴靶材的制备方法.pdf
本发明提供的高纯钴靶材的制备方法,包括:将钴粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯,获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯,克服了钴靶材由于质地坚硬易碎,而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。
一种钴酸锂靶材及其制备方法.pdf
本发明公开了一种钴酸锂靶材及其制备方法,该靶材的纯度大于等于99.9%、相对密度大于等于98%、平均晶粒尺寸小于等于50微米。该靶材制备方法包括以下步骤:(1)提供钴酸锂粉末,并将其液压成型为坯件;(2)对所述的坯件进行冷等静压加工;(3)将经过步骤(2)的坯件置于炉中进行烧结,烧结过程采用了多阶段升温加压的方式。按照本发明方法制备的钴酸锂靶材,其晶粒尺寸细小且致密度高。在适当条件下,溅射这些靶材能获得性能优良的薄膜,从而提高全固态薄膜锂离子电池的储能量和循环次数。
一种电子材料用高纯钽靶材的制备方法.pdf
本发明涉及一种电子材料用高纯钽靶材的制备方法,属于粉末冶金和半导体器件制造领域,所述制备方法是将高纯钽块体首先进行粉碎,再球磨至粒度为5‑150μm的钽粉;将钽粉混料后装模,振实压紧;然后将模具放入高温热压炉,在1500‑1800℃进行热压;烧结结束后冷却至室温出炉、脱模,得到高纯钽靶材的坯体,密度为11.3‑14.5g/cm