一种碘铋铜晶体的制备方法.pdf
猫巷****志敏
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一种碘铋铜晶体的制备方法.pdf
本发明公开了一种碘铋铜晶体的制备方法,包括碘铋铜多晶料的制备和碘铋铜晶体的生长;将原料按照化学计量比进行称量,然后装入石英坩埚内,并对石英坩埚进行抽真空密封,然后将石英坩埚置于摇摆炉内分段加热得到碘铋铜多晶料;之后将装有多晶料的石英坩埚置于晶体炉内进行晶体生长,最终得到碘铋铜晶体。本发明采用摇摆炉和晶体炉两步法成功生长出碘铋铜晶体,得到的碘铋铜晶体的尺寸为17×80mm,克服了现有碘铋铜晶体生长的技术瓶颈,解决了碘铋铜晶体无法成功生长的技术难题,为碘铋铜晶体的生长提供了新思路。
一种软铋矿硅酸铋微晶体的制备方法.pdf
一种软铋矿硅酸铋微晶体的制备方法,首先将三氧化二铋粉体和石英砂混合加入到球磨罐中,外加入乙醇混合均匀后干燥得配合料;然后,将配合料加入坩埚中熔制,熔制结束后从马弗炉中取出坩埚,放入炉外室温中快速冷却,待坩埚中熔融的玻璃液表面过冷后开始析晶时,将坩埚再次置于马弗炉加热后室温冷却,重复加热冷却即得硅酸铋微晶体。本发明通过高温加入原料,高温迅速熔化工艺,避免了高温下三氧化二铋的挥发带来的成分不均匀的影响。所制备的硅酸铋(Bi12SiO20)微晶尺寸小,晶体纯度高,杂相极少,且原料价格低廉,来源丰富,合成温度较低
一种制备铜铋硫薄膜的方法.pdf
本发明涉及一种制备铜铋硫薄膜的方法,属于半导体材料领域。先在洁净的基底上真空蒸镀金属铋薄膜,然后再在金属铋薄膜上真空蒸镀CuS薄膜,最后将沉积金属铋薄膜和CuS薄膜的基底放入加热炉中进行热处理,基底上沉积的薄膜即为所述的铜铋硫薄膜。本发明所述方法中的镀膜和硫化均在真空条件下进行,保证了材料的纯净度;制备的薄膜中元素的比例通过镀膜的厚度调控,薄膜结晶的状况通过硫化处理温度和硫的气氛调控,使得控制较为简单;硫化时采用单质硫而不是硫化氢,使得工艺方法更加环保。
一种硅铋石微晶体的制备方法.pdf
一种硅铋石微晶体的制备方法,首先,取三氧化二铋和二氧化硅放入玛瑙乳体球磨罐中,加入水球磨烘干得配合料,然后将配合料加入事先放入马弗炉中的带盖高纯氧化铝坩埚中,经加热保温后随炉冷却,即得硅铋石微晶体。本发明通过高温加入原料,高温迅速熔化工艺,避免了高温下三氧化二铋的挥发带来的成分不均匀的影响。所制备的硅铋石微晶体(Bi4(SiO4)3)微晶尺寸小,晶体纯度高,杂相极少,可作为制备高品质透明硅铋石(Bi4(SiO4)3)单晶的优质原料及高性能的催化材料。
一种含铋渗铜剂及其制备方法.pdf
本发明公开了属于粉末冶金技术领域的一种含铋渗铜剂及其制备方法。渗铜剂其组成按质量百分比包括:2.1~2.4%的铁、2.3~2.8%的锰、0.1~0.3%的铋及余量的铜。制备方法为,将原料按所述比例称重,加入陶瓷球或不锈钢球、扩散促进剂,混合后,将粉末送入氢气还原炉进行扩散,扩散温度为300~1000℃,扩散时间为0.5~25h,冷却、出炉破碎、筛分收集,然后加入润滑剂合批。本发明制备的渗铜剂具有成形性好、熔渗效率高、无侵蚀、低残留、显著提高材料密度和力学性能的特点。该方法流程简单,所需设备易操作,可以批量