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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111574232A(43)申请公布日2020.08.25(21)申请号202010425672.2(22)申请日2020.05.19(71)申请人山西盂县西小坪耐火材料有限公司地址045100山西省阳泉市盂县南娄镇西小坪村(72)发明人武本有郝良军韩八斤秦迎军(74)专利代理机构太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)14119代理人杨凯连慧敏(51)Int.Cl.C04B35/66(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种焦炉用高导热、高致密硅砖及其制备方法(57)摘要本发明涉及耐火材料技术领域,更具体而言,涉及一种焦炉用高导热、高致密硅砖,该硅砖由胶结硅石、残硅砖、矿化剂、石灰乳制得,通过矿化剂、石灰乳可起到增强砖体的可塑性,促进硅石的烧成转化的作用;通过金属氧化物添加增强导热性;采用本发明所述配方制得的硅砖的具有优良理化指标。本发明另一方面提供了一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,避免形成泥团,造成烧成后砖坯产生溶洞,增强砖体的可塑性;提高坯制品体积密度,使其内部结构进一步密制化,提高整体的热传递能力,坯料在浆料中多次焙烧、干燥,保证良好接枝,构成纤维补强,避免在收缩时产生裂纹。CN111574232ACN111574232A权利要求书1/1页1.一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:包括以下重量份原料:硅石粗粉25-35份、硅石中粉41-47份、细粉10-20份、残硅砖10-20份、矿化剂1.0-1.5份、石灰乳7.5-8.5份。2.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述硅石SiO2含量不低97.5%;Al2O3≤0.8%,Fe2O3≤0.8%,CaO≤0.7%。3.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述细粉由50%的胶结硅石和50%的残硅砖构成。4.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述矿化物由1/3锰粉、1/3钾长石和1/3三氧化二铁构成。5.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述硅石粗粉中硅石粒径范围在3-1mm之间的占64-74%,粒径范围在1-0.088mm之间的占24-34%;余量颗粒粒径范围<0.088mm;所述硅石中粉中硅石粒径范围在1-3mm之间的占1-2%,粒径范围在1-0.088mm之间的占64-74%,余量颗粒粒径范围<0.088mm;所述细粉中粒径范围在1-0.088mm之间的占5-15%,粒径范围<0.088mm颗粒占85-95%;所述残硅砖中粒径范围在1-3mm之间的占1-2%,粒径范围在1-0.088mm之间的占64-74%,余量颗粒粒径范围<0.088mm。6.一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、取纸浆液过筛,-22目浆料为浆料A,+22目为浆料B;S2、将重量份为25-35份的硅石粗粉、41-47份的硅石中粉、10-20份的细粉、10-20份的残硅砖、1.0-1.5份的矿化物混合获得初粉;S3、称取重量份为0.9-1.1的浆料A,在浆料A加水稀释至纸浆浓度1.18-1.20g/cm制得稀释液,将稀释液与重量份为7.5-8.5的石灰乳加入到S2中初粉中,混捏制得泥料;S4、将S3中泥料用400t以上的压机进行压制成型制的坯制品;S5、将S4中坯制品置于焙烧炉在700-800℃一次焙烧;S6、将浆料B细化至150-200目,加水分散;S7、将S5中经一次焙烧的坯制品浸于S6中分散浆料B中;S8、将坯制品在70-100℃的温度下干燥至残余水分不超过0.8%;S9、重复S8-S9操作3-5次;S10、将坯制品装入窑炉在1410℃-1460℃,保温时间30-36小时条件下烧结为成品,冷却至常温即可制得硅砖。7.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述纸浆液比重为1.18-1.20g/cm3,pH为4-5;所述石灰乳比重为1.24-1.28g/cm3;所述矿化剂粒径小于0.088mm。8.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S2中混捏温度为150℃-250℃,混捏时间为0.5-1h,混捏后自然冷却至常温。9.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S3中混捏温度为160℃-220℃,混捏时间为1.5-3h,混捏后自然冷却至常温。10.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S4中成型后保压10-20min。2CN111574232A说明书1/4页一种焦炉用高