一种共晶有功率芯片的载体焊接方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112151399A(43)申请公布日2020.12.29(21)申请号201910572443.0(22)申请日2019.06.28(71)申请人深圳市华达微波科技有限公司地址518000广东省深圳市南山区沿山路43号创业壹号大楼A栋301-309室(72)发明人周晓明吴昊林陈晓(74)专利代理机构深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312代理人赵胜宝(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种共晶有功率芯片的载体焊接方法(57)摘要本发明实施例适用于微波组装工艺技术领域，提供了一种共晶有功率芯片的载体焊接方法，盒体、印刷电路板和共晶有功率芯片的载体装配组成产品结构，印刷电路板预先焊接固定于盒体上，载体焊接于盒体上的载体焊接区域并与印刷电路板电连接，该焊接方法包括以下步骤：根据载体的尺寸大小制作焊片；对盒体中的载体焊接区域和焊片进行清洗；将盒体放入真空烧结炉中，并依次层叠放置焊片以及载体；对真空烧结炉抽真空并填充氮气，直至真空烧结炉中的空气完全排出；在真空环境下对真空烧结炉加热升温，通过熔融焊片将载体焊接于载体焊接区域。本发明可解决现有技术用镊子进行载体和盒体的摩擦焊接操作困难而且存在性能和质量隐患的问题。CN112151399ACN112151399A权利要求书1/1页1.一种共晶有功率芯片的载体焊接方法，盒体(1)、印刷电路板(3)和共晶有功率芯片(6)的载体(5)装配组成产品结构，所述印刷电路板(3)预先焊接固定于所述盒体(1)上，所述载体(5)采用该焊接方法焊接于所述盒体(1)上的载体(5)焊接区域并与所述印刷电路板(3)电连接，其特征在于，该焊接方法包括以下步骤：步骤1：根据所述载体(5)的尺寸大小制作焊片(4)；步骤2：对所述盒体(1)中的所述载体(5)焊接区域和所述焊片(4)进行清洗；步骤3：将所述盒体(1)放入真空烧结炉中，并依次层叠放置所述焊片(4)以及载体(5)；步骤4：对所述真空烧结炉抽真空并填充氮气，直至所述真空烧结炉中的空气完全排出；步骤5：在真空环境下对所述真空烧结炉加热升温，通过熔融所述焊片(4)将所述载体(5)焊接于所述载体(5)焊接区域。2.如权利要求1所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述步骤3将所述载体(5)放置在所述焊片(4)上后并在进行步骤4抽真空之前，在所述载体(5)的顶面上放置压块(2)。3.如权利要求2所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述压块(2)的顶面开设有两个通孔(23)，在放置所述压块(2)时采用镊子通过两个所述通孔(23)进行夹取放置。4.如权利要求2所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述功率芯片(6)设置在所述载体(5)的顶面的中间区域，所述压块(2)包括主体部(21)以及设置在所述主体部(21)底面的两个压紧部(22)，两个所述压紧部(22)间隔设置，且两个所述压紧部(22)之间形成观察口(24)，当所述压块(2)放置在所述载体(5)的顶面上时，所述功率芯片(6)位于两个所述压紧部(22)之间，并通过所述观察口(24)观察所述功率芯片(6)与两个所述压紧部(22)之间的相对位置以防止所述压紧部(22)碰撞所述功率芯片(6)。5.如权利要求1所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述步骤2的所述清洗包括湿法清洗和氩氢等离子清洗，所述焊片(4)的正反两面各进行一次等离子清洗。6.如权利要求1所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述步骤5的焊接温度范围设置为215℃～225℃，焊接时间范围为10～50秒。7.如权利要求1所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述步骤4重复对所述真空烧结炉抽真空并填充氮气至少两次。8.如权利要求7所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，执行步骤4过程中重复对所述真空烧结炉抽真空并填充氮气时，所述真空烧结炉内进行预备和预热升温，温度升高到150℃～170℃后进行保温，保温时间范围为20～60秒。9.如权利要求1所述的共晶有功率芯片的载体焊接方法，其特征在于，所述共晶有功率芯片的载体焊接方法还包括：焊接完成后，对焊接完成的组件进行外观检测和空洞率检测。2CN112151399A说明书1/4页一种共晶有功率芯片的载体焊接方法技术领域[0001]本发明属于微波组装工艺技术领域，尤其涉及一种共晶有功率芯片的载体焊接方法。背景技术[0002]在微波毫米波微组装工艺技术中，微波接地对载体最基本的要求是：导电、导热。微波毫米波频率下，必须尽可能降低芯片、基片与载体间的电阻，特别是表面电阻，以降低电路衰减和串扰，一般采用导电胶粘接