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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112592172A(43)申请公布日2021.04.02(21)申请号202011477157.5B28B1/093(2006.01)(22)申请日2020.12.15(71)申请人株洲火炬安泰新材料有限公司地址412000湖南省株洲市天易科技城A5栋(72)发明人唐智勇(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人杨千寻杜梅花(51)Int.Cl.C04B35/457(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/626(2006.01)C04B35/64(2006.01)B28B1/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种制备ITO烧结体的方法(57)摘要本发明公开了一种制备ITO烧结体的方法,设备包括:筛分机、混合机、反应釜、浇筑模具、振动装置、脱水脱脂装置、烧结炉和加压装置;将In2O3粉末和SnO2粉末混合,将混合后的粉末制成浆料,对浆料进行浇筑处理制得素坯,将素坯进行脱水、脱脂处理后进行烧结作业得到烧结体,烧结完成后的ITO烧结体进行自然冷却,直到ITO烧结体冷却到室温。本发明具有预先对In2O3粉末和SnO2粉末进行筛分,使In2O3粉末和SnO2粉末的颗粒大小符合标准;对浇筑的浆料排气处理;提高烧结体密度的优点。CN112592172ACN112592172A权利要求书1/1页1.一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:将In2O3粉末和SnO2粉末混合,将混合后的粉末制成浆料,对浆料进行浇筑处理制得素坯,将素坯进行脱水、脱脂处理后进行烧结作业得到烧结体;所述方法包括以下步骤:S1、选取In2O3粉末和SnO2粉末,将In2O3粉末和SnO2粉末分别通过筛分机进行筛分,留下符合标准的In2O3粉末粒和SnO2粉末粒,剔除掉颗粒过大的In2O3粉末粒和SnO2粉末粒;S2、将符合标准的In2O3粉末粒和SnO2粉末粒送入到混合机内,启动混合机,将In2O3粉末粒和SnO2粉末粒混合均匀;S3、将In2O3粉末粒和SnO2粉末粒的混合粉末加入到反应釜中,并向反应釜中根据In2O3粉末粒和SnO2粉末粒的混合粉末量加入相应的纯净水,启动反应釜,反应釜内的搅拌桨将混合粉末与水混合搅拌,直到搅拌的浆料粘稠;S4、将制得的浆料倒入到浇筑模具中,对未成形的浆料进行排气处理,将振动棒插入到浆料中,振动装置通过振动棒的振动将浆料中的气泡震出,气泡破裂,从而将浆料中的气体排出,提高浆料的密度;浆料在浇筑模具中成形得到素坯;S5、将素坯送入到脱水脱脂装置内的支架上进行脱水脱脂处理;S6、将脱水脱脂处理后的素坯送入到烧结炉中,烧结处理的过程中,通过加压装置将纯氧加压后输送到烧结炉内,通过加压后的纯氧能够抑制In2O3和SnO2的分解以及In2O3和SnO2挥发,提高烧结体的密度。2.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:设备包括:筛分机、混合机、反应釜、浇筑模具、振动装置、脱水脱脂装置、烧结炉和加压装置。3.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:混合机的转速设置成1500r/min,符合标准的In2O3粉末粒和SnO2粉末粒在混合机内搅拌混合15min。4.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:脱水脱脂装置内设置有放置素坯的支架,将成型的素坯放入到脱水脱脂装置内进行脱水脱脂处理,脱水脱脂装置内温度设置在400℃‑500℃之间,脱水脱脂处理时间为12h。5.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:烧结炉内温度设置在1500℃‑1600℃之间,素坯在烧结炉内的烧结时间为10h。6.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:烧结炉与外置的加压装置,通过加压装置将纯氧加压后输送到烧结炉内。7.根据权利要求1所述的一种制备ITO烧结体的方法,其特征在于:烧结完成后的ITO烧结体进行自然冷却,直到ITO烧结体冷却到室温。2CN112592172A说明书1/4页一种制备ITO烧结体的方法技术领域[0001]本发明涉及ITO烧结体制备技术领域,具体为一种制备ITO烧结体的方法。背景技术[0002]ITO是一种铟(III族)氧化物(In2O3)和锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物,通常质量比为90%In2O3,10%SnO2。它在薄膜状时,透明,略显茶色。在块状态时,它呈黄偏灰色。[0003]ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。[0004]ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后