甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112628772A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011539179.XF23J15/06(2006.01)(22)申请日2020.12.23F22B1/18(2006.01)(66)本国优先权数据202011120336.32020.10.19CN(71)申请人湖北兴瑞硅材料有限公司地址443007湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-2号(72)发明人李少平李书兵高英颜昌锐王清云王文金余传林关小川(74)专利代理机构宜昌市三峡专利事务所42103代理人成钢(51)Int.Cl.F23G7/06(2006.01)F23J15/04(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺(57)摘要本发明公开了一种甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺及装置，将甲基氯硅烷生产废气压力调节后送至焚烧炉，焚烧后烟气经NCR除氮氧化物后进入余热回收装置，余热回收后的烟气进入急冷塔，经急冷降温后进入盐酸吸收塔除去大部分氯化氢，然后经碱洗塔进一步除氯，最后经过湿电除尘器除去粉尘，再加热后高空排放。本发明工艺流程简单，节能环保，具有良好的应用前景。CN112628772ACN112628772A权利要求书1/1页1.甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）甲基氯硅烷生产废气进入焚烧炉在1100‑1200℃温度下焚烧；（2）焚烧后高温烟气经过NCR系统在1100‑1200℃除去氮氧化物后再进入余热回收系统，经过余热回收系统烟气温度降至500‑550℃，再进入急冷系统，2s内温度急速降至60℃以下，得到低温烟气；（3）低温烟气进入氯化氢吸收系统进一步吸收氯化氢气体，然后进入碱洗系统得到中性烟气，中性烟气进入湿电除尘系统除去细二氧化硅粉，然后进入烟气加热系统将烟气加热到90‑120℃后高空排放。2.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，甲基氯硅烷生产废气包括甲基氯硅烷、氯甲烷、甲烷一种或几种的可燃气体及氮气、氯化氢的不燃气体，废气压力在0.03MPa（G）‑1.0Mpa（G）之间。3.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，焚烧过程中，焚烧炉内补加柴油、天然气、或甲基氯硅烷低沸物中的一种做为助燃剂；其中柴油的加入量为15‑150kg/h，或天然气加入量为20Nm³‑160Nm³/h，或甲基氯硅烷低沸物加入量为25‑200kg/h，甲基氯硅烷低沸物是二甲基一氯硅烷、一甲基二氯硅烷、三氯氢硅、四甲基硅中的至少两种的混合物。4.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，步骤（1）的焚烧过程中、步骤（2）的NCR系统、步骤（3）的氯化氢吸收系统及碱洗系统均在‑20Kpa至‑0.3KPa的压力条件下进行；步骤（3）中湿电除尘系统及之后在15KPa‑2Kpa压力条件下进行。5.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，步骤（2）中NCR系统内，在1100‑1200℃下喷洒质量浓度为5%‑10%尿素溶液以除去氮氧化物。6.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，步骤（2）中的余热回收系统中每小时加入3‑10t、20‑90℃工艺水，得到1‑1.2MPa（G）饱和蒸汽。7.根据权利要求6所述的甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺，其特征在于，利用余热回收系统产生的饱和蒸汽进入烟气加热系统中加热烟气。2CN112628772A说明书1/5页甲基氯硅烷生产废气焚烧的工艺技术领域[0001]本发明涉及甲基氯硅烷生产技术领域，尤其是甲基氯硅烷生产废气处理的技术。背景技术[0002]甲基氯硅烷生产过程其甲基氯硅烷合成装置和分离装置会产生大量的废气，是行业公认的处理难题。该废气主要有氯甲烷、氮气、甲基氯硅烷、氯化氢、烃类及少量的硅粉。该部分废气一般采用水洗的方式处理。水洗工艺虽然操作成本低，但是会产生大量的含盐、含油废水，废水处理成本高，且部分废气与水不反应或不溶于水，排到大气中，存在异味，污染环境，有害人体健康。随着环保形式越来越严峻，各甲基氯硅烷生产厂家纷纷寻求新的废气处理技术。其中有吸附工艺，吸附工艺可以有效的回收部分甲基氯硅烷，但是作用有限，只能吸附回收部分物质，吸附剂解吸和在生困难，设备数量多，投资成本高，另外还有大量的尾气不能被吸附回收，若直接排放会严重污染环境，仍需要再处理。另一种是焚烧技术，国内甲基氯硅烷厂家一般采用焚烧炉‑余热回收‑旋风分离器‑文丘里‑急冷‑降膜吸收‑碱洗‑高空排放的微正压工艺路线。该工艺为避免二噁英的产生，旋风分离器的工作温度在550度以上，对材质要求高，焚烧生成的气相二氧化硅密度低，量少，旋风分离基