一种PECVD镀膜机的电极组件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112680721A(43)申请公布日2021.04.20(21)申请号202011264211.8C23C16/54(2006.01)(22)申请日2020.02.10(62)分案原申请数据202010084562.42020.02.10(71)申请人深圳市拉普拉斯能源技术有限公司地址518118广东省深圳市坪山区坑梓街道吉康路1号(72)发明人林佳继刘群张武朱太荣庞爱锁林依婷(74)专利代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283代理人董世博(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种PECVD镀膜机的电极组件(57)摘要本发明提供一种PECVD镀膜机的电极组件，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔内设有至少两个与硅片相关的工位，硅片的烧制工位同时也是硅片的装载工位，硅片被通过平移机构装入镂空载板中，镂空载板包括多个，多个镂空载板在硅片的装载工位上下排列且等间距均布，形成硅片载具，单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位，镂空部位位于镂空载板的中部，所述安装部位位于所述镂空载板的一侧，多个镂空载板的安装部位位于镂空载板的同一侧。本发明采用竖向送片和水平插片的方式，硅片和电极片的交替对插在真空炉腔内完成，对于镀膜过程来说，从插片到镀膜的过程，都可以进行氛围控制，有利于调整镀膜环境，提升镀膜质量。CN112680721ACN112680721A权利要求书1/2页1.一种PECVD镀膜机的电极组件，包括用于镀膜操作的真空炉腔，其特征是，所述真空炉腔内设有至少两个与硅片相关的工位，其中一个是硅片的预载工位，另一个是硅片的烧制工位，硅片的烧制工位上方是硅片的装载工位，在硅片的装载工位上，硅片被通过平移机构装入镂空载板中，镂空载板包括多个，多个镂空载板在硅片的装载工位上下排列且等间距均布，形成硅片载具，单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位，所述镂空部位位于镂空载板的中部，所述安装部位位于所述镂空载板的一侧，所述多个镂空载板的安装部位位于镂空载板的同一侧；所述安装部位固定在载板升降组件上，所述载板升降组件安装在所述真空炉腔的一侧，所述真空炉腔的底部设有电极推送机构，电极推送机构上设有电极片的预载装置，所述预载装置上等间距地设有电极片的预载部位，所述预载部位包括竖向布置的等离子电极，所述等离子电极沿其高度方向上等间距地设有电极片的预载工位，所述电极片的预载工位包括能够横向安装电极片的卡槽，所述卡槽的间距与镂空载板的间距相同；所述等离子电极的上端通过等离子电极柱连接至等离子结构；所述真空炉腔的底部设有抽真空接口；所述真空炉腔的底部的一侧设有横向推送开孔，电极推送机构能够通过横向推送开孔向内推送等离子电极，横向推送开孔的外侧通过第二腔体焊接法兰密封，第二腔体焊接法兰的外端对接第二动密封法兰，第二动密封法兰的外端对接气缸安装法兰，所述电极推送机构还包括电极推送气缸，电极推送气缸安装在气缸安装法兰上，电极推送气缸的输出端穿过气缸安装法兰，连接到气缸连接轴，气缸连接轴穿过第二动密封法兰伸入第二腔体焊接法兰内部，并在第二腔体焊接法兰内部连接电极推送杆，所述等离子电极的下端的一侧设有助推板，所述等离子电极的下表面设有横向滑块，所述真空炉腔的底部设有电极平移导轨，所述横向滑块和所述电极平移导轨匹配，所述电极推送杆能够顶抵所述助推板并推动等离子电极沿所述电极平移导轨向内移动；所述等离子电极包括等离子电极正极块和等离子电极负极块，所述等离子电极正极块和所述等离子电极负极块均安装固定在底板上，它们之间留有一定的距离，所述等离子电极正极块和所述等离子电极负极块朝向真空炉体内的一侧分别等间距地设置多道台阶，相邻台阶之间形成能够横向安装硅片的卡槽，每道台阶由下而上至少包括第一凸台和第二凸台，其中，第二凸台比第一凸台突出，第二凸台的台阶转角处设置坡面，所述等离子电极正极块上的第一凸台的高度小于所述等离子电极负极块上第一凸台的高度，且，所述等离子电极正极块上的第二凸台的高度大于所述等离子电极负极块上二凸台的高度，使得同一硅片能够同时被两个电极块夹住，且其上下两面分别被等离子电极正极块和所述等离子电极负极块触碰。2.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜机的电极组件，其特征是，所述镂空载板包括方形框架和设置在方形框架中的十字形支架，所述十字形支架将所述方形框架围成的空间隔成四个等间距方形镂空区域，方形框架和十字形支架均采用石英材料制成，方形框架和十字形支架的宽度不超过单个镂空区域宽度的1/10，以保证为硅片的烧制留出足够的表面区域，所述方形框架和十字形支架的