一种纳米晶合金磁芯返工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112746146A(43)申请公布日2021.05.04(21)申请号202011588457.0(22)申请日2020.12.29(71)申请人佛山市中研非晶科技股份有限公司地址528000广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号(72)发明人王芳礼王忠平(74)专利代理机构广州科粤专利商标代理有限公司44001代理人庞伟健谭健洪(51)Int.Cl.C21D1/04(2006.01)C21D9/52(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种纳米晶合金磁芯返工方法(57)摘要本发明公开了一种纳米晶合金磁芯返工方法，具体步骤为：S1：将不良品纳米晶合金磁芯穿至料架；S2：对横磁预热炉进行预热，使横磁预热炉内温度达到第一温度；S3：将穿于料架上的不良品纳米晶合金磁芯推入横磁热处理炉内进行横磁热处理；S4：在S3的横磁热处理中，将横磁预热炉从第一温度升至第二温度，并保温第一时间，在保温的同时施加500‑800Gs磁场强度的磁场，并持续第二时间，经过第一保温时间后，将横磁预热炉内温度降温至第三温度出炉；S5：出炉后快速风冷至常温。本申请的返工方法能够有效处理在日常生产中出现的不良品纳米晶磁芯，能够将部分1KHz和10KHz电感低下限的纳米晶合金磁芯由不良变为良品，减少报废品的出现，提高材料利用率。CN112746146ACN112746146A权利要求书1/1页1.一种纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：具体步骤为：S1：将不良品纳米晶合金磁芯穿至料架；S2：对横磁预热炉进行预热，使横磁预热炉内温度达到第一温度；S3：将穿于料架上的不良品纳米晶合金磁芯推入横磁热处理炉内进行横磁热处理；S4：在S3的横磁热处理中，将横磁预热炉从第一温度升至第二温度，并保温第一时间，在保温的同时施加500‑800Gs磁场强度的磁场，并持续第二时间，经过第一保温时间后，将横磁预热炉内温度降温至第三温度出炉；S5：出炉后快速风冷至常温。2.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S2中的第一温度为400℃。3.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S4中的第二温度为430‑520℃。4.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S4中第一温度经过30‑50min升至第二温度。5.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S4中第一时间为30‑60min。6.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S4中第二时间为60‑120min。7.根据权利要求1所述的纳米晶合金磁芯返工方法，其特征在于：所述S4中第三温度为350‑400℃。2CN112746146A说明书1/3页一种纳米晶合金磁芯返工方法技术领域[0001]本发明涉及纳米晶材料加工技术领域，具体涉及一种纳米晶合金磁芯返工方法。背景技术[0002]此纳米晶合金磁芯为纳米晶合金带材卷绕而成，纳米晶合金带材由熔融状态的高温钢水经过急速冷却，形成18‑30μm的薄带。在喷制过程中，产生了内应力，纳米晶带材的磁性能对应力又非常敏感，同时此带材为非晶状态结构，为了消除带材的内应力，降低矫顽力，恢复磁性能，以及获得非晶加纳米晶的双相结构，必须要进行晶化热处理。此纳米晶合金磁芯为了获得横导磁特性以及低的Br，就必须要进行横磁处理。即目前热处理方法先采用普通真空热处理，根据特性要求再进行相应的横磁热处理。此纳米晶合金磁芯热处理后多数特性要求为低频(1KHz/10KHz)电感及阻抗特性以及高频(100KHz及以上)电感及阻抗特性。由于受到人、机、料、法、环等因素影响，在批量生产中，避免不了不良品的产生。[0003]磁化过程中，由于制作铁基纳米晶合金磁芯材料为一种优异软磁材料，其内部有许多排列自发磁化的小磁畴，在没有外磁场的作用时，这些磁畴的排列方向是无序的，小磁畴间的磁场是相互抵消的，对外表现为不显磁性。如果在磁芯材料施加一个外磁场，在外磁场的作用下，材料内的磁畴会随着外磁场方向转动，增强材料内的磁场，随着外磁场的增强，转到外磁场方向的磁畴就会越来越多，与外磁场同向的磁感应强度就会越强，说明材料被磁化了。在批量生产过程中，由于受到升温速度，温度和降温差异以及磁场均匀性分布差异等影响，造成磁芯在磁化过程中，其纳米晶晶粒大小、数量和磁畴分布也会有差异，最终导致磁性能有差异分布，产生部分1KHz和10KHz电感不良。[0004]纳米晶合金磁芯在横磁处理后10KHz电感如果低于要求的下限值并且1KHz与10KHz电感之比≤1.2后，判定为不良品且无法再次横磁处理，需作报废处理，因为