测量硅抛光片表面铜含量的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112798543A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号202110068156.3(22)申请日2021.01.19(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司地址311201浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号(72)发明人郭体强(74)专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙)33266代理人沈相权(51)Int.Cl.G01N21/27(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称测量硅抛光片表面铜含量的方法(57)摘要本发明涉及一种测量硅抛光片表面铜含量的方法，所属硅抛光片金属含量检测技术领域，包括如下操作步骤：先取两片在晶棒上处于同一位置相邻的硅抛光片，确保两片硅抛光片的体铜含量是一致性，接着使用SPV法测出其中一枚硅抛光片体铜含量，记为B1。再把另一枚硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铜驱入硅片体内。然后再次使用SPV法测出高温退火后的硅抛光片体铜含量，记为B2。最后利用SPV法测量两片硅抛光片的体铜含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量=0.5×（B2‑B1）×T。具有方法简单、操作方便、节能环保和安全稳定性高的优点。解决了危险化学品使用的问题。避免了化学液的环保处理过程。CN112798543ACN112798543A权利要求书1/1页1.一种测量硅抛光片表面铜含量的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：取两片在晶棒上处于同一位置相邻的硅抛光片，确保两片硅抛光片的体铜含量是一致性，接着使用SPV法测出其中一枚硅抛光片体铜含量，记为B1；第二步：把另一枚硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铜驱入硅片体内；第三步：再次使用SPV法测出高温退火后的硅抛光片体铜含量，记为B2；第四步：利用SPV法测量两片硅抛光片的体铜含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量=0.5×（B2‑B1）×T。2.根据权利要求1所述的测量硅抛光片表面铜含量的方法，其特征在于：T为硅片平均厚度，单位使用了厘米。3.根据权利要求1所述的测量硅抛光片表面铜含量的方法，其特征在于：B1为第一枚未经高温处理的硅抛光片体铜含量，单位使用atoms/cm^3。4.根据权利要求1所述的测量硅抛光片表面铜含量的方法，其特征在于：B2为第二枚高温处理后的硅抛光片体铜含量，单位使用atoms/cm^3。5.根据权利要求1所述的测量硅抛光片表面铜含量的方法，其特征在于：硅抛光片放入退火炉中，温度为900摄氏度～1100摄氏度。2CN112798543A说明书1/2页测量硅抛光片表面铜含量的方法技术领域[0001]本发明涉及硅抛光片金属含量检测技术领域，具体涉及一种测量硅抛光片表面铜含量的方法。背景技术[0002]现有硅抛光片测量表面铜含量的办法通常是从硅片表面剥离铜原子，再对剥离出的铜使用ICP‑MS或AAS等方法进行分析从而计算出表面金属含量。[0003]ICP‑MS是20世纪80年代发展起来的无机元素和同位素分析测试技术，它以独特的接口技术将电感耦合等离子体的高温电离特性与质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种高灵敏度的分析技术。[0004]AAS即原子吸收光谱法，又称原子分光光度法，是基于待测元素的基态原子蒸汽对其特征谱线的吸收，由特征谱线的特征性和谱线被减弱的程度对待测元素进行定性定量分析的一种仪器分析的方法。[0005]存在如下缺陷：（1）这些方法都需要一定的化学液作为耗材，如氢氟酸和双氧水等,测量成本较高。[0006]（2）使用的化学液为危险化学品，必须经过环保处理才可排放。发明内容[0007]本发明主要解决现有技术中存在消耗化学液、污染严重和安全隐患大的不足，提供了一种测量硅抛光片表面铜含量的方法，其具有方法简单、操作方便、节能环保和安全稳定性高的优点。解决了危险化学品使用的问题。避免了化学液的环保处理过程。[0008]本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种测量硅抛光片表面铜含量的方法，包括如下操作步骤：第一步：取两片在晶棒上处于同一位置相邻的硅抛光片，确保两片硅抛光片的体铜含量是一致性，接着使用SPV法测出其中一枚硅抛光片体铜含量，记为B1。[0009]第二步：把另一枚硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铜驱入硅片体内。[0010]第三步：再次使用SPV法测出高温退火后的硅抛光片体铜含量，记为B2。[0011]第四步：利用SPV法测量两片硅抛光片的体铜含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量=0.5×（B2‑B1）×T。[0012]作为优选，T为硅片平均厚度，单位使用了厘米。