一种固相法制备二硒化钛单晶材料的方法.pdf
醉香****mm
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本发明公开一种固相法制备二硒化钛单晶材料的方法,属于二硒化钛单晶制备技术领域,该方法包括如下步骤:第一步、源材料的配比和混合:将硒粉和钛粉放在研钵研磨混合均匀,并放置于石英管底部;石英管用便携式真空阀封好后转移出手套箱;第二步、真空封管:使用真空封管系统首先对装有配比好并混合均匀的粉末的石英管进行洗气,抽真空,然后进行封管;第三步、源材料的煅烧:将封管后的石英管放入马弗炉中,在马弗炉中垫上隔热砖后进行煅烧。本发明制备得到的晶体尺寸较大,无团聚、制备工艺简单。为进一步研究二硒化钛和铁掺杂二硒化钛单晶的科研工
一种硒化镉量子点及其固相制备方法.pdf
本发明提供了一种硒化镉量子点及其固相制备方法,该固相制备方法包括:室温下,将阳离子前驱体与阴离子前驱体混合均匀形成混合物A;向所述混合物A中加入无机物粉末,研磨混合均匀,得到混合物B;将所述混合物B置于坩埚内,并在马弗炉中进行煅烧,得到硒化镉量子点。本发明通过高温煅烧阴/阳离子前驱体制备硒化镉量子点,仅需少量有机溶剂溶解阳离子前驱体,且在高温煅烧过程中,此少量有机溶剂将完全挥发,通过将量子点分散在无机物粉末中,无需使用有机溶剂进行多次沉淀纯化即可直接使用,具有较佳的环境友好性。
一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法.pdf
本发明提供了一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法,包括以下步骤:a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内,所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端,所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部;b)在惰性气体条件下,将管式炉升温至620~750℃,保温3~30分钟,生成二硫硒化锡单晶半导体材料。本发明以二硫化锡粉末、硒粉和硫粉为原料,利用化学气相沉积法在特定的环境和工艺条件下,沉积生成二硫硒化锡单晶半导体材料;所得半导体材料为二维超薄单晶材料,边长大小仅在几微米到几百微米,厚度仅为几纳米到
固相制备金属@沸石单晶胶囊催化材料的方法.pdf
本发明涉及金属催化剂制备,旨在提供固相制备金属@沸石单晶胶囊催化材料的方法。该固相制备金属@沸石单晶胶囊催化材料的方法实现方式为:取金属前驱体溶于水中,再加入氢氧化钠、模板剂、硅源和铝源,搅拌均匀后加热挥发水,得到干胶后研磨成细粉;将细粉装入玻璃瓶后放入水热釜中,釜底可选择是否加入水;加热后将反应产物取出,再在马弗炉中焙烧得到沸石封装金属的金属@沸石单晶胶囊催化材料。本发明的制备方法中,所用模板剂较少,甚至是没有用到模板剂,孔道没有被大量模板剂填充,非常适合合成金属@沸石单晶催化剂。
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一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法,依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长,所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中,置于晶体生长炉中,高温区温度控制为710~750℃,低温区控制为400~420℃,梯度区长度约为15cm,温度梯度控制在20~24℃/cm,结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体,晶粒尺寸达到5.3cm以上,在用于制备太阳能电池时,本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面,不容易出现短路,载