一种炉管机台.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113078081A(43)申请公布日2021.07.06(21)申请号202110433831.8(22)申请日2021.04.21(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人李劲昊姜尧(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人柳虹(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01J37/32(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/52(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种炉管机台(57)摘要本发明提供一种炉管机台，包括：位于反应腔室内的多个第一输气管以及第二输气管；每个第一输气管的管壁上均设置有多个第一出气孔，第二输气管的管壁上设置有多个第二出气孔，每个第二出气孔分别对应相邻第一输气管之中最邻近的第一出气孔；第一输气管用于输送第一气体，以诱导反应气体生成等离子体；第二输气管用于输送第二气体，以调节最邻近第一出气孔之间第一气体的浓度。这样，通过第二气体能够降低相邻第一输气管之中最邻近第一出气孔处第一气体的浓度，从而降低相邻第一输气管之中最邻近第二出气孔处对应的晶圆的表面薄膜厚度，使得反应腔室内不同位置晶圆的表面薄膜厚度更加均一，提高晶圆的片间均匀性并降低调节晶圆间均匀度的工艺难度。CN113078081ACN113078081A权利要求书1/1页1.一种炉管机台，其特征在于，包括：反应腔室，位于所述反应腔室内的多个第一输气管以及第二输气管；每个所述第一输气管的管壁上均设置有多个第一出气孔，所述第二输气管的管壁上设置有多个第二出气孔，每个所述第二出气孔分别对应相邻所述第一输气管之中最邻近的第一出气孔；所述第一输气管用于输送第一气体，以诱导反应气体生成等离子体；所述第二输气管用于输送第二气体，以调节所述最邻近的第一出气孔之间第一气体的浓度。2.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在于，所述第二出气孔包括第一子出气孔和第二子出气孔，所述第一子出气孔和所述第二子出气孔分别对应相邻第一输气管上最邻近的第一出气孔。3.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在于，所述第一气体为氢气，所述第二气体为氮气，所述反应气体包括氧气。4.根据权利要求3所述的炉管机台，其特征在于，还包括：第三输气管，所述第三输气管用于输送氧气。5.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，所述第一输气管的数量为四个；所述第二输气管与每个所述第一输气管的距离相等。6.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，在所述第一输气管的延伸方向上，所述多个第一输气管的长度呈渐进变化。7.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，所述第二输气管与供气装置之间设置有控制开关，所述控制开关用于控制所述第二气体的流量。8.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，所述反应腔室内设置有监控器，所述监控器用于监控所述第二气体的含量。9.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，所述多个第一输气管位于所述反应腔室的侧壁上，所述第二输气管位于所述反应腔室的中心。10.根据权利要求1‑4任意一项所述的炉管机台，其特征在于，所述第一气体的流量是根据所述反应腔室的参数确定的，所述参数包括：温度、压强和/或所述反应气体含量。2CN113078081A说明书1/5页一种炉管机台技术领域[0001]本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种炉管机台。背景技术[0002]炉管BIO(BatchIsotropicOxidation)机台是目前半导体处理工艺中经常使用的一种机台，可以用于进行氧化工艺、化学气相沉积等多种半导体处理工艺。[0003]通常，在炉管机台内进行薄膜的生长时，炉管机台内不同位置生长的薄膜厚度存在差异，导致晶圆之间的均匀度(uniformity)较差。发明内容[0004]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种炉管机台，以提高晶圆之间的均匀度。[0005]为实现上述目的，本发明有如下技术方案：[0006]一种炉管机台，包括：[0007]反应腔室，位于所述反应腔室内的多个第一输气管以及第二输气管；[0008]每个所述第一输气管的管壁上均设置有多个第一出气孔，所述第二输气管的管壁上设置有多个第二出气孔，每个所述第二出气孔分别对应相邻第一输气管之中最邻近的第一出气孔；[0009]所述第一输气管用于输送第一气体，以诱导反应气体生成等离子体；所述第二输气管用于输送第二气体，以调节所述最邻近的第一出气孔之间第一气体的浓度。[0010]可选的，所述第二出气孔包括第一子出气孔和第二子出气孔，所述第一子出气孔和所述第二子