一种固定底座、LPCVD炉管及LPCVD设备.pdf
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一种固定底座、LPCVD炉管及LPCVD设备.pdf
本发明提供了一种固定底座、LPCVD炉管及LPCVD设备,所述固定底座包括基座以及设于所述基座上的多个压紧件和多个支撑件,所述多个压紧件与所述多个支撑件一一对应设置;所述多个压紧件用于固定所述LPCVD炉管的外管体的底部的内侧壁,且沿所述基座的周向间隔设置;所述多个支撑件用于与所述外管体的底部的外侧壁相抵接,且沿所述基座的周向间隔设置。本发明提供的固定底座能够有效地使得所述外管体与所述固定底座为同心安装,保证所述外管体与所述固定底座之间的安装间隙均匀,且在对设备进行抽真空时,所述外管体也不会发生偏移现象,
LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备.pdf
本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路,温度传感器用于检测法兰的温度,温度控制器的输入端连接温度传感器,以获取温度传感数据,温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端,其中第一触头为常开触头,固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀,电磁阀为常开电磁阀;其中,温度控制器配置为,根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过
一种LPCVD多晶炉工艺炉膛.pdf
本发明公开了一种LPCVD多晶炉工艺炉膛,包括机架,所述机架用于支撑加热器和管口法兰,所述管口法兰固装有工艺管,所述工艺管内部可滑动放置的晶舟,用于承载需进行工艺的晶片,所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板;由于沉积掉落是在晶片的顶部区域,则顶部区域的左右分别设置一个滑道板,滑道板之间的顶部圆弧区域设置可抽插的可拆卸的沉积板,定期抽出清洗或更换即可,这样就可以有效延长工艺管的更换时间,不浪费机台有效的工作时间,明显的增大产能和最有效的减少操作者的工作量。
一种基于LPCVD的多晶硅成型炉.pdf
本发明公开了一种基于LPCVD的多晶硅成型炉,涉及多晶硅成型炉技术领域,所述多晶硅成型炉包括底座、炉体,所述炉体安装在底座上,所述炉体两侧分别安装有上料机构和下料机构,炉体内安装有沉降罩和托料箱,所述托料箱位于沉降罩的下方,沉降罩利用气流对反应产物的扩散方向进行牵引和修正,使反应产物均匀落在基片上,使基片表面形成的多晶硅薄膜厚度均匀。沉降罩为可伸缩结构,在一次沉降结束后,沉降罩收缩一次,利用收缩将内壁上附着的颗粒物刮除,提高沉降罩内部的整洁程度,进而提高气相沉积效果,提高多晶硅在基片表面的成型效果。
一种LPCVD炉通入化学气体的方法.pdf
本发明公开了一种LPCVD炉通入化学气体的方法,包括炉体,在炉体的反应腔内为反应腔补充气体的第二供气装置,其中,通入气体的方法包含如下步骤:S1、先通过出气口对反应腔内进行抽真空,再通过第一供气装置持续性的从进气口通入气体至反应腔内,使气体持续性的从进气口向出气口运动;S2、通过第二供气装置在反应腔的多个区段上同时向反应腔中通入气体,补充反应腔内由于化学反应消耗的第一供气装置通入的气体,使反应腔内气体分布均匀,且气体密度始终与预定的气体密度保持一致,保证从进气口到出气口的材料表面上的薄膜厚度一致。