一种LPCVD炉通入化学气体的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115074702A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210629607.0(22)申请日2022.06.02(71)申请人上海微世半导体有限公司地址201401上海市奉贤区南桥镇沿江路752号(72)发明人陈瀚丁波张伟智朋谷卫东侯金松杭海燕(74)专利代理机构上海远同律师事务所31307专利代理师张坚(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C30B25/14(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种LPCVD炉通入化学气体的方法(57)摘要本发明公开了一种LPCVD炉通入化学气体的方法，包括炉体，在炉体的反应腔内为反应腔补充气体的第二供气装置，其中，通入气体的方法包含如下步骤：S1、先通过出气口对反应腔内进行抽真空，再通过第一供气装置持续性的从进气口通入气体至反应腔内，使气体持续性的从进气口向出气口运动；S2、通过第二供气装置在反应腔的多个区段上同时向反应腔中通入气体，补充反应腔内由于化学反应消耗的第一供气装置通入的气体，使反应腔内气体分布均匀，且气体密度始终与预定的气体密度保持一致，保证从进气口到出气口的材料表面上的薄膜厚度一致。CN115074702ACN115074702A权利要求书1/1页1.一种LPCVD炉通入气体的方法，包括炉体、为所述炉体反应腔加热的加热装置以及设于反应腔内的载片装置、真空检测仪、温度传感器，所述炉体一端具有进气口，连接第一供气装置，另一端具有出气口，连接真空泵；所述真空检测仪、所述温度传感器、所述加热装置的供电装置、所述第一供气装置以及所述真空泵均电连接控制器，其特征在于：还包括为所述反应腔补充气体的第二供气装置，所述控制器与所述第二供气装置电连接，其中，通入气体的方法包含如下步骤：S1、先通过所述出气口对所述反应腔内进行抽真空，再通过所述第一供气装置持续性的从所述进气口通入气体至所述反应腔内，使气体持续性的从所述进气口向所述出气口运动；S2、通过第二供气装置在反应腔的多个区段上同时向反应腔中通入气体，补充反应腔内由于化学反应消耗的第一供气装置通入的气体，使反应腔内气体分布均匀，且气体密度始终与预定的气体密度保持一致。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于，所述反应腔内设置通气管，所述通气管上设置若干补充气孔，所述第二供气装置与所述通气管连通，步骤S2中通过调节所述补充气孔的孔径和/或间距实现反应腔内气体分布均匀。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于，所述通气管设置在所述反应腔的底部。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于，所述通气管沿所述炉体轴线方向设置。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于，所述通气管的进气口延伸出所述反应腔且与所述炉体的出气口位于同一端。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于，所述炉体包括炉管主体以及设置在所述炉管主体两端的法兰门装置，所述炉管主体与所述法兰门装置通过密封圈密封连接。2CN115074702A说明书1/3页一种LPCVD炉通入化学气体的方法技术领域[0001]本发明涉及LPCVD沉积技术领域，具体涉及一种LPCVD炉通入化学气体的方法。背景技术[0002]随着半导体产业及微电子技术的迅猛发展，半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶薄膜的沉积，是一种重要的薄膜淀积技术。从LPCVD沉积原理可知，参与反应的气体，由于压力差的作用，从炉体一端流向另一端，有一部分将被吸附在晶片表面上，借助温度的作用，沉积反应将会发生。[0003]在传统的LPCVD沉积装置中，都会将所需的化学气体从炉口通入，化学气体在炉内真空的作用下从炉体的炉尾出，然而化学气体从炉口向炉尾运动的过程中，由于热分解和化学反应，气体分子逐渐减少，造成生长在材料表面的薄膜从炉口到炉尾逐次变薄。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种LPCVD炉通入化学气体的方法，解决现有技术中生长在材料表面的薄膜从炉口到炉尾逐次变薄的问题。[0005]本发明的目的可以通过以下技术方案实现：[0006]一种LPCVD炉通入化学气体的方法，包括炉体、为所述炉体反应腔加热的加热装置以及设于反应腔内的载片装置、真空检测仪、温度传感器，所述炉体一端具有进气口，连接第一供气装置，另一端具有出气口，连接真空泵；所述真空检测仪、所述温度传感器、所述加热装置的供电装置、所述第一供气装置以及所述真空泵均电连接控制器，还包括为所述反应腔补充气体的第二供气装置，其中，通入气体的方法包含如下步骤：[0007]S1、先通过所述出气口对所述反应腔内进行抽真空，再通过所述第一供气装置持续性的从所述进气