预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113146092A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号202110297041.1(22)申请日2021.03.19(71)申请人湖南大学地址410082湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号(72)发明人徐先东张天宇陈江华(74)专利代理机构长沙市融智专利事务所(普通合伙)43114代理人钟丹魏娟(51)Int.Cl.B23K35/26(2006.01)B23K35/40(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种Sn-Bi-In-Zn合金无铅焊料及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料及其制备方法,所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn45.00‑50.00%,Bi15.00‑17.00%,In31.00‑33.00%,Zn3.00‑7.00%。本发明采用Sn、Bi、In、Zn四种低熔点元素,将其放在感应熔炼炉中进行熔炼,得益于焊料中四种低熔点金属元素的相互作用,形成三种不同的“相”,In0.2Sn0.8、BiIn2、Zn,其中形成了熔点比较低的BiIn2相,使其熔点比较低,使得Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料拥有良好的润湿性能,导电性以及钎焊性能,适合用于3DIC焊接工艺,如丝网印刷形成微凸点,BGA,C‑4焊球,回流焊和SMT组装等,应用领域广阔。CN113146092ACN113146092A权利要求书1/1页1.一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,其特征在于:所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn45.00‑50.00%,Bi15.00‑17.00%,In31.00‑33.00%,Zn3.00‑7.00%。2.根据权利要求1所述的所述一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,其特征在于:所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn45.23‑49.63%,Bi15.77‑16.17%,In31.57‑32.37%,Zn3.04‑3.04%。3.根据权利要求1所述的所述一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,其特征在于:所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn49.63%,Bi15.77%,In31.57%,Zn3.04%。4.根据权利要求1所述的所述一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,其特征在于:所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn47.46%,Bi15.96%,In31.97%,Zn4.61%。5.根据权利要求1所述的所述一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,其特征在于:所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料,按质量百分比计,其成份组成如下:Sn45.23%,Bi16.17%,In32.37%,Zn3.04%。6.根据权利要求1‑5任意一项所述的一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:按设计比例配取Sn、Bi、In、Zn;倒入坩埚中,然后进行熔炼获得熔体,浇筑即得Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料。7.根据权利要求6所述的一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料的制备方法,其特征在于:将Zn、Bi、Sn、In按从下至上的顺序依次倒入坩埚中。8.根据权利要求6所述的一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料的制备方法,其特征在于:所述熔炼在氩气气氛下进行,氩气气氛的压力为0.03~0.04MP。9.根据权利要求6所述的一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料的制备方法,其特征在于:所述熔炼过程为,先将控制熔炼电流在160~180A,预热2~3min,再将熔炼电流调整为190~200A加热4~5min。10.根据权利要求1‑5任意一项所述的一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料的应用,其特征在于:将所述Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料应用于3DIC焊接。2CN113146092A说明书1/4页一种Sn‑Bi‑In‑Zn合金无铅焊料及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明属于焊接材料技术领域,具体涉及一种Sn‑Bi‑In‑Zn无铅焊料及其制备方法和应用。背景技术[0002]随着5g技术的快速发展,远程办公与网上授课成为了可能。人们对身边的智能移动设备有了更高的需求,例如拥有更多的功能,更快的响应速度,更小的空间以及更便宜的价格,使电子封装制造行业面临着严峻的挑战。[0003]另外摩尔定律Moore'sLaw在小型化方面的趋势正在接近极限,因为随着硅片上线路密度的增加,其复杂性和容错率也将呈现指数增长,一旦芯片上线条的宽度达到纳米级数量级时,相当于只有几个分子的大小,这种情况下材料的物理,化学性能将发生质的变化,导致半导体器件不