一种可降解局部万古霉素缓释系统及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113209366A(43)申请公布日2021.08.06(21)申请号202110440006.0A61L27/58(2006.01)(22)申请日2021.04.23C22C23/04(2006.01)C22C1/08(2006.01)(71)申请人常州市第二人民医院地址213000江苏省常州市兴隆巷29号(72)发明人徐南伟周励(74)专利代理机构南京佰腾智信知识产权代理事务所(普通合伙)32509代理人胡丽华(51)Int.Cl.A61L27/04(2006.01)A61L27/34(2006.01)A61L27/28(2006.01)A61L27/50(2006.01)A61L27/54(2006.01)A61L27/56(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称一种可降解局部万古霉素缓释系统及其制备方法(57)摘要本发明涉及生物医用材料技术领域，尤其是一种可降解局部万古霉素缓释系统及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：1)将装有的氯化钠晶粒模板的模具置于电阻炉中，梯度加热至580℃恒温备用；然后将液态镁合金金属材料渗透至NaCl模板中，固化后流动水浴浸出NaCl模板，再经硝酸水溶液活化表面、超声清洗、表面高温氟化处理、灭菌处理后备用；2)将PLGA溶解于二氯甲烷中，配置成一定浓度的浸涂液；取盐酸万古霉素粉末按与PLGA质量比1:5加入至所述浸涂液中，超声振荡5min；将多孔镁合金浸没于其中，抽真空、保压3‑5min，匀速提拉出来；放入真空冷冻干燥机内干燥24h，即得可降解局部万古霉素缓释系统。CN113209366ACN113209366A权利要求书1/1页1.一种可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)多孔镁合金支架的制备将装有的氯化钠晶粒模板的模具置于电阻炉中，梯度加热至580℃恒温备用；然后在一定压力下将液态镁合金金属材料渗透至NaCl模板中，固化后流动水浴浸出NaCl模板，再经硝酸水溶液活化表面、超声清洗、表面高温氟化处理、灭菌处理后备用；(2)PLGA‑VAN表面涂层制作以二氯甲烷作为溶剂，将PLGA溶解于二氯甲烷中，配置成一定浓度的浸涂液；取盐酸万古霉素粉末按与PLGA质量比1:5加入至所述浸涂液中，超声振荡5min；将步骤(1)制得的多孔镁合金浸没于其中，抽真空、保压3‑5min，匀速提拉出来；放入真空冷冻干燥机内干燥24h，即得可降解局部万古霉素缓释系统。2.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述氯化钠晶粒模板的制备方法具体为，将氯化钠晶粒填入模具，在—定压力下压实即得氯化钠晶粒模板。3.根据权利要求2所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述氯化钠晶粒的直径大小介于425‑600μm之间。4.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述液态镁合金金属材料的制备方法具体为，先将称量好的镁锭放入清理干净的石墨坩埚，再一同置入电阻炉中，初始炉温设为450℃，温度达到后通入保护气，保证炉内处于低氧状态；然后设置温度至720℃，镁锭完全熔化后加入一定配比的合金，待其完全熔化后充分搅拌、扒渣、静置，同时进一步将炉内温度升高至740‑780℃，以保证渗流过程顺利进行；所述液态镁合金金属材料的组分配比为Mg‑2Zn‑0.3Ca。5.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述液态镁合金金属材料渗透至NaCl模板时的压力为‑0.06～0.08MPa。6.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述流动水浴浸出NaCl模板时，采用pH为13的强碱溶液作为填充颗粒的溶剂，时间为72h。7.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述硝酸水溶液活化表面中的硝酸水溶液为0.5vol％HNO3及0.5vol％H2O2的混合水溶液；所述表面高温氟化处理的具体方法为，在90℃下用40％HF酸进行氟化处理；所述灭菌处理为温度121℃、压力0.12MPa下蒸汽灭菌或环氧乙烷灭菌。8.根据权利要求1所述的可降解局部万古霉素缓释系统的制备方法，其特征在于：所述浸涂液中PLGA的浓度为120mg/ml。9.权利要求1‑8任一所述制备方法制得的可降解局部万古霉素缓释系统。2CN113209366A说明书1/7页一种可降解局部万古霉素缓释系统及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及生物医用材料技术领域，具体领域为一种可降解的药物缓释系统。背景技术[0002]骨髓炎是一种由细菌引发的，伴随着骨破坏的炎症过程。骨髓炎可被分为三类，第一类：创伤、