封装键合铂金丝及其制备方法.pdf
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封装键合铂金丝及其制备方法.pdf
本发明涉及芯片封装技术领域,且公开了封装键合铂金丝及其制备方法,包括以下步骤:S1、将铂金属与铍、钙、铈、镧等微量元素投入真空熔铸炉,经过高温熔铸,得到特定直径的铂金属棒;S2、铂金属棒再经过多组模具进行拉伸,此拉伸过程中在某一线径进行中间退火;S3、中间退火的线材再次拉伸至半成品线材;通过铂金属代替传统的键合丝中的金和银金属,从而大大降低了键合丝的生产制造成本,从而间接的减低了芯片生产制造的成本,铂金属棒在通过模具拉绳的过程中,在某一线径的时候进行中间退火,然后再次被拉伸成半成品线材,半成品线材经过退火
一种LED封装用超细键合铜合金丝及其制造方法.pdf
本发明提供一种LED封装用超细键合铜合金丝,总氧含量为150~370ppm,磷含量为0~60ppm,余量为高纯铜;其中当该磷含量为0ppm时,该总氧含量为200~370ppm;当该磷含量大于0ppm时,该总氧含量为150~250ppm。本发明相应的制造方法,包括:将含氧量高的高纯铜与含氧量低的高纯铜按预定的比例进行熔炼,获取总氧含量为200~370ppm的线材;或再加入磷,获取总氧含量为150~250ppm,磷含量为60ppm以下的线材;将该线材行多道次拉拔,得到直径为15~50um的键合丝并进行退火处理
一种封装用高性能键合金丝的制备方法.pdf
本发明公开了一种封装用高性能键合金丝的制备方法,主要通过优化配方、改进工艺、增加装置等技术,得到了机械性能高、电阻率小、再结晶温度高的低弧高强度高性能键合金丝,满足LQFP、QFN等高端封装要求。发明内容主要包括:对中间合金制备方法进行了调整,获得了成分更加均匀、纯度更高的中间合金;将定向凝固连铸技术应用于金铸坯的熔铸工艺上获得了内部缺陷少、电性能优良的单晶熔铸坯;在大拉过程中增加了剥皮工艺达到去除金线坯表面缺陷的目的;在退火工艺中增加了退火液烘干装置,提高了金丝放线质量并增加单轴绕线米数;复绕工艺则对导
半导体键合结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种半导体键合结构及其制备方法,在第一载片中形成相连通的第一凹槽、第一孔、第二凹槽,以及图形化的第一键合层;在第二载片中形成贯穿第二载片的第二孔,以及图形化的第二键合层;并通过将第一键合层与第二键合层键合构成具有空腔结构的临时键合载片;而后将半导体结构片通过临时键合胶键合于临时键合载片上,从而在后续的工艺过程中,临时键合胶内产生的内压力可以通过临时键合载片中的空腔结构得以释放,以此解决在高温高真空工艺过程中,因为临时键合胶产生的压力无法释放所造成的半导体结构片鼓泡、裂片等问题,以提高最终制备的转
键合晶圆结构及其制备方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种键合晶圆结构及其制备方法,通过于UTS结构上方保留挡光金属层来加强UTS结构的可靠性,以防止UTS结构上方阻挡层的不够带来的可靠性问题,并将位于相邻的UTS结构之上的挡光金属层之间进行隔断设计,以保证每个UTS成独立单元来降低漏电,从而为UTS结构在三维集成的更广泛应用打下基础。