能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113638040A(43)申请公布日2021.11.12(21)申请号202110923750.6(22)申请日2021.08.12(71)申请人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号(72)发明人闫龙张兴茂周文辉李小红伊冉王忠保(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105代理人孙彦虎(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B15/04(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法(57)摘要本发明提供一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，属于硅单晶生产技术领域。通过统计分析，找到重掺砷硅单晶晶棒出现电阻率反翘率峰值处所对应的等径长度及该处影响电阻率反翘的特征因子，通过调整该特征因子，降低电阻率反翘率。例如，通过降低坩埚转速和/或提高单晶炉炉压，能够有效抑制重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘，提高产品合格率，减少浪费。CN113638040ACN113638040A权利要求书1/1页1.一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于，重掺砷硅单晶等径过程中，在目标位置，调整影响电阻率反翘的特征因子，以降低电阻率反翘率；其中，影响电阻率反翘的特征因子通过以下步骤确认：统计若干根重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘率峰值所在位置对应的等径长度，并求取平均等径长度；获取若干根重掺砷硅单晶晶棒在平均等径长度处的若干潜在影响因子以及重掺砷硅单晶晶棒在平均等径长度处的电阻率反翘率；计算电阻率反翘率与每一个潜在影响因子的相关度，并对相关度由大到小进行排序；取相关度排序靠前的一个或两个所述潜在影响因子作为影响电阻率反翘的特征因子。2.如权利要求1所述的能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于，所述潜在影响因子包括坩埚转速、单晶炉炉压、氩气流量、单晶生长速度、温度。3.如权利要求1所述的能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于，步骤“统计若干根重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘率峰值所在位置对应的等径长度，并求取平均等径长度”中，对重掺砷硅单晶晶棒进行分段，每段长度30mm～100mm，测量每段电阻率，并统计电阻率峰值所在位置对应的等径长度。4.如权利要求1所述的能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于，步骤“计算电阻率反翘率与每一个潜在影响因子的相关度，并对相关度由大到小进行排序”中，采用相关系数分析方法计算电阻率反翘率与每一个潜在影响因子的相关系数，并求取相关系数的绝对值，作为每一个潜在影响因子的相关度。5.如权利要求1所述的能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于，包括以下步骤：获取影响电阻率反翘的特征因子的调整策略；获取调整时机；其中，所述调整时机为（A‑120）mm～（A‑30）mm，A为平均等径长度。6.如权利要求5所述的能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，其特征在于：当确定的影响电阻率反翘的特征因子为坩埚转速时，则下调坩埚转速1rpm～5rpm，以降低电阻率反翘率；当确定的影响电阻率反翘的特征因子为坩埚转速和单晶炉炉压时，则同时下调坩埚转速1rpm～5rpm，上调单晶炉炉压2kPa～15kPa，以降低电阻率反翘率。2CN113638040A说明书1/4页能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法技术领域[0001]本发明属于硅单晶生产技术领域，具体涉及一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法。背景技术[0002]重掺砷单晶硅片是非常理想的外延衬底材料。由于砷具有很强的挥发性，使得生产过程中，重掺砷单晶的电阻率很难控制准确。当砷的挥发作用大于其分凝作用时，电阻率会出现头低尾高的情况（通常情况下，因分凝效应单晶电阻率轴向分布是头高尾低的），我们称之为电阻率反翘。电阻率反翘导致重掺砷硅单晶的电阻率超出产品规格要求，造成过多浪费。发明内容[0003]有鉴于此，本发明提供一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，以解决现有技术中存在的重掺砷硅单晶电阻率反翘的技术问题。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，重掺砷硅单晶等径过程中，在目标位置，调整影响电阻率反翘的特征因子，以降低电阻率反翘率；其中，影响电阻率反翘的特征因子通过以下步骤确认：统计若干根重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘率峰值所在位置对应的等径长度，并求取平均等径长度；获取若干根重掺砷硅单晶晶棒在平均等径长度处的若干潜在影响因子以及重掺砷硅单晶晶棒在平均等径长度处的电阻率反翘率；计算电阻率反翘率与每一个潜在影响