一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113816615A(43)申请公布日2021.12.21(21)申请号202111009759.2(22)申请日2021.08.31(71)申请人西安理工大学地址710048陕西省西安市碑林区金花南路5号(72)发明人任洋刘萍刘荣欣赵高扬(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人徐瑶(51)Int.Cl.C03C17/23(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。CN113816615ACN113816615A权利要求书1/1页1.一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。2.根据权利要求1所述的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，所用的苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡、乙酸酐的摩尔比为1：51：1：0.09～0.11：11。3.根据权利要求2所述的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1具体按照以下步骤实施：步骤1.1将苯甲酰丙酮与乙二醇甲醚混合，室温搅拌至其溶解，再加入硝酸铟，在磁力搅拌器上搅拌1～2小时；步骤1.2，继续加入四氯化锡，搅拌1～2小时；步骤1.3，最后加入乙酸酐，搅拌2～3小时，陈化24～48小时，即可得到淡黄色的透明的锡掺杂氧化铟溶胶。4.根据权利要求1所述的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2具体按照以下步骤实施：步骤2.1，将钠钙玻璃片置于超声波清洗机中用浓度为0.1mol/L的盐酸和去离子水分别清洗15～30分钟，之后，将钠钙玻璃片放入80～100℃的干燥箱中烘干；步骤2.2，用获得的锡掺杂氧化铟溶胶通过浸渍提拉法在烘干的钠钙玻璃片上制备凝胶薄膜，并将提拉制备的凝胶薄膜基片于120～150℃的加热台上干燥5～10分钟后，空冷至室温，之后，用无水甲醇将钠钙玻璃背面的凝胶薄膜擦拭掉，只保留正面的凝胶膜；步骤2.3，将获得的凝胶膜基片依次放置于300～350℃和500～550℃的真空管式炉中连续退火10～15分钟，冷却至室温，控制处理气氛为氧气，气压0.1MPa，流量30～40mL/min；步骤2.4，用步骤2.3的基片继续制备薄膜，重复步骤2.2和步骤2.3，共制备八层凝胶薄膜，即得ITO镀膜玻璃。5.根据权利要求4所述的一种超高透明导电性的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2.2中，浸渍提拉法中以4mm/s的速度垂直匀速地提拉钠钙玻璃片出锡掺杂氧化铟溶胶液面。6.根据权利要求5所述的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1和步骤2.2中，所有操作均在密封严格手套箱内进行，保证手套箱内的湿度小于20％。7.根据权利要求1所述的一种具有超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，气氛处理的气体为氢氩混合气体，其中，氢气体积浓度不大于4％。8.根据权利要求1所述的一种具有超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，制备得到的ITO纳米薄膜以钠钙玻璃为基板，且薄膜粒径为10～30nm，薄膜厚度为250nm。9.一种超高透明导电性ITO薄膜，其特征在于，采用如权利要求1‑8任意一项所述的制备方法制备得到。2CN113816615A说明书1/6页一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明属于ITO薄膜制备方法技术领域，具体涉及一种超高透明导电性ITO薄膜，本发明还涉及该种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法。背景技术[0002]锡掺杂氧化铟(ITO)是一种高度简并的n型半导体材料，由于其优异的光学和电学性质，被认为是最常用的透明导电氧化物(TCO)材料之一。目前已广