化学气相沉积反应设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113818011A(43)申请公布日2021.12.21(21)申请号202111407931.X(22)申请日2021.11.25(71)申请人新美光(苏州)半导体科技有限公司地址215000江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路188号方正科技园北区C幢103(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙)32525代理人曾飞(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称化学气相沉积反应设备(57)摘要本申请涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积反应设备。该设备包括炉体和引流装置；炉体内的反应室具有进气口和排气口；引流装置设置在反应室内，包括第一隔板、旋转体和转轴，第一隔板具有通孔，第一隔板设置在进气口与排气口之间，并将反应室分为第一区域和第二区域；进气口位于第一区域，排气口、旋转体和转轴均位于第二区域，转轴的上部连接旋转体、下部穿出炉体，转轴能够带动旋转体旋转。本申请提供的方案能够分散反应室内的气流，促进材料均匀沉积。CN113818011ACN113818011A权利要求书1/1页1.一种化学气相沉积反应设备，其特征在于，包括炉体和引流装置；所述炉体限定出反应室，所述反应室具有进气口和排气口；所述引流装置设置在所述反应室内，包括第一隔板、旋转体和转轴，所述第一隔板设置在所述进气口与所述排气口之间，并将所述反应室分为第一区域和第二区域；所述进气口位于所述第一区域，所述排气口、所述旋转体和所述转轴均位于所述第二区域，所述转轴的上部连接所述旋转体、下部穿出所述炉体，所述第一隔板具有通孔，所述转轴能够带动所述旋转体旋转。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述引流装置包括第二隔板，所述第二隔板位于所述炉体与所述旋转体之间，所述转轴依次穿过所述第二隔板和所述炉体。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述引流装置还包括支柱，所述第一隔板与所述第二隔板之间通过所述支柱相连，所述旋转体设置在由所述第一隔板、所述第二隔板和所述支柱限定的活动空间内。4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备还包括驱动器，所述转轴穿出所述炉体的一端与所述驱动器相连，所述转轴能够在所述驱动器的驱动作用下带动所述旋转体旋转。5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述引流装置包括至少一根所述支柱，所述至少一根所述支柱沿所述第一隔板和/或所述第二隔板的外沿设置；和/或，所述第一隔板的边缘、所述第二隔板的边缘均与所述炉体的内壁之间具有间隙；和/或，所述第一隔板和所述第二隔板的形状均与所述反应室的横截面形状匹配；和/或，所述第一隔板、所述旋转体和所述第二隔板为同轴设置。6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述旋转体具有至少一个叶片，每个叶片与所述转轴相连。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，在所述旋转体具有至少两个叶片的情况下，所述至少两个叶片沿所述转轴的外周间隔分布；和/或，所述叶片为扇形叶片，所述扇形叶片的圆心角与所述转轴相连；和/或，所有扇形叶片的圆心角角度总和为120°至180°。8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一隔板上设有至少两个所述通孔，所述至少两个所述通孔均匀分布在所述第一隔板上。9.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备还包括中空的安装柱，所述安装柱设置在所述炉体与所述第二隔板之间，所述转轴依次穿出所述第二隔板、所述安装柱和所述炉体，使所述第二隔板与所述炉体之间保持间隙；和/或，所述引流装置以可拆卸方式设置于所述反应室内；和/或，所述通孔为从所述第一隔板的中心向边缘盘旋的螺旋形。10.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述至少两个所述通孔呈环形阵列分布，所述环形阵列的中心与所述第一隔板的中心重合；和/或，所述进气口位于所述反应室的上部，所述排气口位于所述反应室的下部；和/或，所述引流装置采用石墨材料制成。2CN113818011A说明书1/6页化学气相沉积反应设备技术领域[0001]本申请涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积反应设备。背景技术[0002]碳化硅（SiC）材料作为优秀的第三代半导体材料，具有热传导度高、耐等离子刻蚀、耐氧化、耐磨损、耐腐蚀、高温稳定等优点，尤其是具备在等离子刻蚀制造工艺中几乎不产生颗粒污染的优良特性。使用碳化硅材料制备而成的部件，比如刻蚀机内部的TopEdgeRing、FocusRing以及电极，化学气相沉积反应设备使用的基座等，均有效提高了部件的使用周期及品质，成为半导体领域成功量产和良率保证的重要利器之一。[0003]目前，