一种多对棒多晶硅还原炉电源系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113922634A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111442607.1(22)申请日2021.11.30(71)申请人重庆大全泰来电气有限公司地址404000重庆市万州区万州经济技术开发区化工园(72)发明人王清华(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人张艺(51)Int.Cl.H02M1/00(2007.01)C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种多对棒多晶硅还原炉电源系统(57)摘要本申请公开了一种多对棒多晶硅还原炉电源系统，包括三相供电的变压器、3个调压功率柜以及接地保护柜和控制柜，其中，变压器与调压功率柜之间利用4根3组铜排连接，调压功率柜与还原炉之间利用2根3组铜排连接，还原炉内的硅芯分为第一组硅芯、第二组硅芯和第三组硅芯，变压器的每个抽头引出三组线，每一条线均连接至一个调压器以形成三组调压电路，还包括自启动装置，当初始启动时，闭合所有接触器开关，断开所有断路器，使三组调压电路并联运行启动三组硅芯，当硅芯电阻下降后闭合所有断路器，断开所有接触器开关，使三组调压电路串联运行，上述系统能节约材料和设备成本，减少设备安装时间和费用，减少设备成套数量，提高设备运行可靠性。CN113922634ACN113922634A权利要求书1/1页1.一种多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，包括三相供电的变压器、3个调压功率柜以及与所述调压功率柜连接的接地保护柜和控制柜，其中，所述变压器与所述调压功率柜之间利用4根3组铜排连接，所述调压功率柜与还原炉之间利用2根3组铜排连接，所述还原炉内的硅芯分为第一组硅芯、第二组硅芯和第三组硅芯，所述变压器的每个抽头引出三组线，每一条线均连接至一个调压器以形成三组调压电路，其中，第一组调压电路通过并联的第一断路器和第一接触器开关连接至所述第一组硅芯，所述第一组硅芯的另一端依次经过第四接触器开关和第二断路器连接至所述变压器的接地端，第二组调压电路通过第二接触器开关连接至所述第二组硅芯，所述第二组硅芯的另一端依次经过第五接触器开关和所述第二断路器连接至所述变压器的接地端，第三组调压电路通过第三接触器开关连接至所述第三组硅芯，所述第三组硅芯的另一端依次通过所述第五接触器开关和所述第二断路器连接至所述变压器的接地端，而且，所述第四接触器开关和所述第二接触器开关之间还设置有第三断路器，所述第三接触器开关还直接连接至所述第二断路器，还包括电源引自所述变压器低压侧的自启动装置，当初始启动时，闭合所有的接触器开关，断开所有的断路器，使三组调压电路并联运行以启动三组硅芯，当硅芯电阻下降后闭合所有的断路器，断开所有的接触器开关，使三组调压电路串联运行。2.根据权利要求1所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述变压器和所述调压功率柜之间的第一根铜排为一块宽度为100mm，厚度为6mm，长度为1m的铜排。3.根据权利要求2所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述变压器和所述调压功率柜之间的第二根铜排为两块宽度为100mm，厚度为8mm，长度为1m的铜排。4.根据权利要求3所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述变压器和所述调压功率柜之间的第三根铜排为两块宽度为120mm，厚度为8mm，长度为1m的铜排。5.根据权利要求4所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述变压器和所述调压功率柜之间用于接地的第四根铜排为两块宽度为120mm，厚度为8mm，长度为2m的铜排。6.根据权利要求5所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述第一组硅芯内包括4个硅芯。7.根据权利要求6所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述第二组硅芯内包括4个至5个硅芯。8.根据权利要求7所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述第三组硅芯内包括4个至5个硅芯。9.根据权利要求1‑8任一项所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述调压功率柜设置于所述变压器的出线侧，且相距800mm。10.根据权利要求9所述的多对棒多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，相邻的所述调压功率柜之间设置有检修维护通道。2CN113922634A说明书1/5页一种多对棒多晶硅还原炉电源系统技术领域[0001]本发明属于光伏发电设备技术领域，特别是涉及一种多对棒多晶硅还原炉电源系统。背景技术[0002]目前，国内外光伏发电技术得到了大规模发展与应用，作为主要原材料的多晶硅的生产规模越来越大。大规模多晶硅的生产对核心装置还原炉及其配套电源设备提出更高的要求，多晶硅迅速发展了近20年，在此期间，多晶硅还原炉电源技术随着还原炉型变化而变化。目前