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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113983808A(43)申请公布日2022.01.28(21)申请号202110366658.4(22)申请日2021.09.15(71)申请人青岛赛瑞达电子科技有限公司地址266000山东省青岛市高新区华东路826号(72)发明人张海林刘国霞滕玉朋吴季浩(51)Int.Cl.F27B5/05(2006.01)F27B5/08(2006.01)F27B5/14(2006.01)F27B5/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种高温炉真空密封炉膛结构(57)摘要本发明的一种高温炉真空密封炉膛结构,包括炉盖、炉壳、炉底法兰通过螺栓紧固、密封圈密封,且炉底法兰安装有密封法兰和工艺管的真空密封炉膛,真空密封炉膛内部还设有炉盖隔热屏组、炉壳隔热屏组、炉底隔热屏组,所述炉盖隔热屏组、炉壳隔热屏组、炉底隔热屏组与所述工艺管之间设有加热腔,所述加热腔内设置加热器,穿过所述炉盖和炉盖隔热屏组设置有加热器电极杆,所述加热器电极杆近加热器段设有电极杆隔热屏组。本发明采用电极杆带隔热屏的方式,可以解决高温炉中电极杆绝缘套不必采用高温绝缘材料的难题,大幅度降低了成本和实现高温炉电极杆绝缘的难度。CN113983808ACN113983808A权利要求书1/1页1.一种高温炉真空密封炉膛结构,包括炉盖(1)、炉壳(2)、炉底法兰(3)通过螺栓紧固、密封圈密封,且炉底法兰(3)安装有密封法兰(4)和工艺管(5)的真空密封炉膛,真空密封炉膛内部包括由所述工艺管(5)限定的工艺腔室,用于进行工艺片的工艺过程,真空密封炉膛内部还设有炉盖隔热屏组(6)、炉壳隔热屏组(7)、炉底隔热屏组(8),所述炉盖隔热屏组、炉壳隔热屏组、炉底隔热屏组与所述工艺管(5)之间设有加热腔,所述加热腔内设置加热器(9),其特征在于,穿过所述炉盖(1)和炉盖隔热屏组(6)设置有加热器电极杆(10),用于连接所述加热器和外部电源,所述加热器电极杆(10)近加热器段设有电极杆隔热屏组(11),用于保护所述加热器电极杆的绝缘套(12)不受高温损害,所述电极杆隔热屏组(11)与所述炉盖隔热屏组(6)隔断设置,所述加热器电极杆(10)远加热器段设有绝缘套(12)。2.根据权利要求1所述的一种高温炉真空密封炉膛结构,其特征在于,所述电极杆隔热屏组、炉盖隔热屏组、炉壳隔热屏组、炉底隔热屏组均由等间距层叠的隔热屏组成,所述电极杆隔热屏组未裸露于所述加热腔部分的每层隔热屏与所述炉盖隔热屏的每层隔热屏之间同一水平面隔断设置,所述电极杆隔热屏之间贴近所述加热器电极杆处设有电极杆隔热屏隔套(13),用于支撑所述电极杆隔热屏组中的每层隔热屏。3.根据权利要求2所述的一种高温炉真空密封炉膛结构,其特征在于,所述炉盖隔热屏组、炉壳隔热屏组、炉底隔热屏组的隔热屏由内向外材料依次为钨、钼、不锈钢,所述电极杆隔热屏组与所述炉盖隔热屏组同一水平高度的隔热屏材料相同。4.根据权利要求1所述的一种高温炉真空密封炉膛结构,其特征在于,所述加热器通过加热器电极杆吊装于所述加热腔内,用于给所述工艺腔室提供热源,所述加热器上部通过开槽方式三等分开,所述加热器底部为完整圆形筒状,所述加热器上部三等分处中间与所述加热器电极杆电连接。5.根据权利要求1所述的一种高温炉真空密封炉膛结构,其特征在于,所述加热器电极杆的炉外部分套设电极绝缘水冷密封套(14),所述加热器电极杆与所述电极绝缘水冷密封套通过密封圈密封,所述电极绝缘水冷密封套与所述炉盖固结,所述加热器电极杆炉外端部还设置接线组件(15),用于外接电源。6.根据权利要求1所述的一种高温炉真空密封炉膛结构,其特征在于,所述炉壳外部设置热偶密封座(16),测温热偶(17)通过热偶密封圈套装于所述热偶密封座(16)内,并穿过所述炉壳隔热屏组至所述加热腔。2CN113983808A说明书1/4页一种高温炉真空密封炉膛结构技术领域[0001]本发明涉及高温氧化炉、退火炉技术领域,具体为一种高温炉真空密封炉膛结构。背景技术[0002]SIC作为第三代半导体材料的典型代表,是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料;由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗,因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。SIC材料的扩散、氧化、退火等工艺过程其主要特点就是需要高温或真空加高温及工艺气体条件,特别是高温一般为1400℃‑2000℃,是以往其工作温度为800‑1200℃的第二代半导体设备从加热器和工艺室的结构、方式、材质等组件所不能实现的。[0003]目前,连接外部电源和加热器的电极杆需要与顶部的多层隔热屏以及支撑固结隔热屏的炉盖在电极杆孔中穿过,对于所穿过的孔