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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114156203A(43)申请公布日2022.03.08(21)申请号202111382173.0(22)申请日2021.11.22(71)申请人邹建地址610000四川省成都市龙泉驿区龙泉北泉路1188号2栋3单元2404号(72)发明人邹建(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/223(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种芯片制造用扩散炉(57)摘要本发明涉及光伏设备制造技术领域,且公开了一种芯片制造用扩散炉,包括炉体,所述炉体的一侧活动连接有炉门,位于所述炉门上方的炉体内壁固定套接匀气板,且匀气板开设有散气孔,位于所述散气孔上方的匀气板内壁固定套接固定环,所述固定环的底端与限位件的一端固定连接,所述限位件的另一端与防堵块的顶端固定连接,所述炉体的侧壁活动卡接石英舟,且石英舟的顶端开设有舟槽,所述舟槽的内部底端固定连接有底框。本发明通过在石英舟和进气管之间设置匀气板,并在散气孔内部设置固定环及其部件,使得各个防堵块在受工艺气体压力后一齐下移,促使气体扩散能均匀扩散到炉体内各处与硅片均匀反应,有效提高了硅片的质量。CN114156203ACN114156203A权利要求书1/1页1.一种芯片制造用扩散炉,包括炉体(1),所述炉体(1)的一侧活动连接有炉门(11),其特征在于:位于所述炉门(11)上方的炉体(1)内壁固定套接匀气板(3),且匀气板(3)开设有散气孔(31),位于所述散气孔(31)上方的匀气板(3)内壁固定套接固定环(4),所述固定环(4)的底端与限位件(41)的一端固定连接,所述限位件(41)的另一端与防堵块(42)的顶端固定连接,所述炉体(1)的侧壁活动卡接石英舟(5),且石英舟(5)的顶端开设有舟槽(51),所述舟槽(51)的内部底端固定连接有底框(6),所述底框(6)的顶端固定连接有两个隔板(62),且隔板(62)开设有横孔,所述底框(6)和隔板(62)的顶端固定套接顶膜(61),且顶膜(61)的顶端与底框(6)的顶端通过侧弹簧连接,位于所述隔板(62)横孔上方的两个隔板(62)侧面开设有侧槽,且隔板(62)通过侧槽活动套接活动板(63),所述活动板(63)的底端与底框(6)的顶端之间通过下弹簧连接,位于所述舟槽(51)两侧的石英舟(5)顶端固定连接有侧板(7)。2.根据权利要求1所述的一种芯片制造用扩散炉,其特征在于:所述侧板(7)的顶端开设有气槽(71),位于所述气槽(71)一侧的侧板(7)壁面开设有小孔,且对应小孔位置的侧板(7)外壁固定套接圆膜(8),所述圆膜(8)的表面开设有排气孔,且圆膜(8)的内壁与侧板(7)的内壁之间通过小弹簧连接,与所述圆膜(8)同侧的侧板(7)中部固定连接有固定轴(91),所述固定轴(91)的外侧活动套接活动环,且活动环的外圈固定连接旋转叶(9),靠近所述圆膜(8)的旋转叶(9)侧固定连接有挤压块(92)。3.根据权利要求1所述的一种芯片制造用扩散炉,其特征在于:所述散气孔(31)与舟槽(51)数量相同,且位于一一对应,所述散气孔(31)的形状为上方圆柱状、下方漏斗状。4.根据权利要求1所述的一种芯片制造用扩散炉,其特征在于:所述限位件(41)由伸缩杆和上弹簧构成,且上弹簧环绕伸缩杆。5.根据权利要求2所述的一种芯片制造用扩散炉,其特征在于:所述气槽(71)的顶端开口设置有单向阀,且气流方向为由侧板(7)外部向侧板(7)内部移动,所述气槽(71)有六条边,且六条边环绕固定轴(91)均匀设置,所述气槽(71)的每一条边设有两个小孔,且每个小孔对应一个圆膜(8)。6.根据权利要求2所述的一种芯片制造用扩散炉,其特征在于:所述旋转叶(9)的数量为三,且环绕固定轴(91)均匀设置,一个所述旋转叶(9)对应两个挤压块(92),且挤压块(92)位置与圆膜(8)一一对应。2CN114156203A说明书1/4页一种芯片制造用扩散炉技术领域[0001]本发明涉及光伏设备制造技术领域,具体为一种芯片制造用扩散炉。背景技术[0002]芯片的材质通常为硅片,为改变硅片内杂质的类型、浓度和分布,需对其进行掺杂处理,而掺杂工艺的重要设备之一为扩散炉。扩散炉的扩散工艺在其反应炉内完成,通过将硅片依序放入石英舟的舟槽中,再向扩散炉内通入工艺气体,实现扩散,并在停止通入工艺气体后,取出硅片,完成硅片掺杂。[0003]但扩散炉在使用过程中还存在一些缺陷:首先,为防止舟槽在插拔过程中会与硅片产生摩擦损伤,舟槽的宽度要设置大于硅片的厚度,此方式使得硅片放置在石英舟内并非完全垂直、具有一定的倾斜,并随着石英舟使用次数的增加,其舟槽宽度变大,从而使得硅片倾斜,其稳定性变