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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114211415A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111626410.3(22)申请日2021.12.28(71)申请人江苏华东砂轮有限公司地址224000江苏省盐城市盐都区盐龙街道丁晏居委会(凤凰南路西侧)(72)发明人陈贵锋刘小磐陈沈萍陈瑞和王友堂吴祝艳(74)专利代理机构北京东方灵盾知识产权代理有限公司11506代理人王娟(51)Int.Cl.B24D18/00(2006.01)B24D3/18(2006.01)B24D3/34(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种晶片精密减薄加工砂轮及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种晶片精密减薄加工砂轮及其制备方法,涉及砂轮生产技术领域。其制备步骤如下:步骤一:原料配置,分别配置出多组分无机溶胶和溶胶凝胶浆料,并将多组分无机溶胶和溶胶凝胶浆料按照1:(2‑2.5)比例混合在一起得到原料;步骤二:注模成型,将原料放入圆盘形模具中注模成坯体;步骤三:干燥,将坯体置于烘箱中进行干燥;步骤四:烧结,将干燥后的坯体放入烧结炉中进行烧结成型,烧结后得到半成品。本发明针对传统陶瓷结合剂制备方法中存在的粉末粒度较粗、粒度不均匀等共性问题,以Al‑Si‑B‑Na系多组分溶胶为结合剂前驱体,结合剂中不同组分可在分子水平上被均匀地混合,低温、快速烧结,节能的同时减少磨料的热损伤。CN114211415ACN114211415A权利要求书1/1页1.一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:其制备步骤如下:步骤一:原料配置,分别配置出多组分无机溶胶和溶胶凝胶浆料,并将多组分无机溶胶和溶胶凝胶浆料按照1:(2‑2.5)比例混合在一起得到原料;步骤二:注模成型,将原料放入圆盘形模具中注模成坯体;步骤三:干燥,将坯体置于烘箱中进行干燥;步骤四:烧结,将干燥后的坯体放入烧结炉中进行烧结成型,烧结后得到半成品;步骤五:加工,将砂轮配件安装在半成品上得到成品砂轮。2.根据权利要求1所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:所述步骤一中的多组分无机溶胶为含硼酸钠的Al‑Si‑B‑Na系多组分高强度纳米陶瓷溶胶,硼酸钠与Al‑Si‑B‑Na系多组分高强度纳米陶瓷溶胶的质量比为1:(3‑5)。3.根据权利要求1所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:所述步骤一中的溶胶凝胶浆料为质量比为1:(1‑1.5)的金刚石超细磨料及填料的混合物。4.根据权利要求1所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:所述步骤三中烘箱的干燥温度设置在45‑55℃,干燥时间在15‑25min之间。5.根据权利要求1所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:所述步骤四中,在隔绝氧气氛下进行烧结,烧结温度控制在500‑650℃之间,烧结时间控制在90‑120min之间,烧结气压控制在100‑105Mpa之间。6.根据权利要求1所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法,其特征在于:步骤五中的砂轮配件为金属基板,半成品通过环氧树脂结合剂与金属基板相粘结安装。7.一种晶片精密减薄加工砂轮,其特征在于:所述使用了权利要求1‑6任一所述的一种晶片精密减薄加工砂轮的制备方法制造而成。2CN114211415A说明书1/5页一种晶片精密减薄加工砂轮及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及砂轮生产技术领域,具体为一种晶片精密减薄加工砂轮及其制备方法。背景技术[0002]半导体材料是制作集成电路、电子器件、光电子器件等的重要材料,是整个电子产业的基础材料,是实现电子性能的载体,支撑着人工智能、大数据、通信、计算机、信息技术、网络技术等的快速发展,是当前新一轮信息化革命的基石。随着网络技术的发展,整个半导体产业(尤其是芯片领域)对半导体材料的综合性能要求越来越高,特别是对工件表面的加工精度提出了更高要求,晶片材料的超精密加工要求达到纳米级。开发适用于半导体材料精密超精密加工的新型工具,提高半导体材料单晶硅片表面加工精度,已成为推动新一代信息技术产业发展的重要组成部分。[0003]硅是当前最重要、用途最广的半导体材料,硅单晶半导体基片广泛应用于大规模和超大规模集成电路(芯片)。硅片的表面质量是影响硅片光电性能的最主要因素之一,其中硅片平面度误差将直接影响光刻系统的聚焦,粗糙度影响刻线尺寸与精度,缺陷数量和深度将影响元件的集成度和可靠性。在提高集成度方面的技术发展和市场需求的推动下,单晶硅片的加工平面度由(1~2)μm/76mm发展到(1~2)μm/(76~400)mm,表面粗糙度Ra值要求达到80~100nm,变质层深度由原来接触抛光的深刻伤达到浮法抛光的无损伤。要获得平面度为1μm/(3