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一种晶体生长设备及晶体生长方法.pdf
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一种晶体生长设备及晶体生长方法.pdf
本发明公开了一种晶体生长设备及晶体生长方法，该晶体生长设备包括机架，机架上设置有生长炉，生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，生长炉上开设有出料口，机架上滑移设置有坩埚，坩埚呈长管状，且坩埚呈倾斜或水平设置，坩埚的开口朝向生长炉且与出料口插接滑移配合，且坩埚的滑移方向与自身长度方向平行，机架上设置有用于驱动坩埚滑移的驱动组件。该晶体生长方法包括以下步骤：将生长超长晶体的原料混合后倒入坩埚中；移动导料板，将坩埚移入加热区内；加热区将原料融化成液体，然后利用导料板将坩埚慢慢移出加热区，液体冷却凝固，
2023-06-15
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晶体生长设备及晶体生长设备的使用方法.pdf
本发明提供一种晶体生长设备及晶体生长设备的使用方法，晶体生长设备包括晶体炉以及提拉单元，提拉单元能够在到达晶体炉外与伸入晶体炉之间切换，还包括：举升单元，其包括设于晶体炉内的坩埚台；液压驱动站，其连接举升单元，用于驱动举升单元升降运动；晶体炉内预设有微动区间，坩埚台在提拉单元到达晶体炉外时能够带动坩埚在微动区间中升降运动，及在提拉单元伸入晶体炉时能够带动坩埚在微动区间下方的区域升降运动。
2023-06-15
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一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法.pdf
本发明公开了一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法。一种InP晶体生长设备，包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳。
2023-06-16
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一种晶体生长装置及晶体生长方法.pdf
本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。
2023-06-16
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一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法.pdf
本发明涉及半导体生产领域，公开了一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法，包括压力容器，压力容器内设置有加热器，加热器包括加热器外壳，所述加热器外壳内部中心位置设置炉芯组；所述炉芯组外套设有加热丝，所述加热丝与加热器外壳之间设置有第一控温组和第二控温组，所述第一控温组和第二控温组沿炉芯组的中心线对称设置；所述第一控温组包括若干个第一热电偶组，所述第二控温组包括若干个第二热电偶组；所述加热器外壳与炉芯组之间设置有氧化铝粉，所述第一热电偶组和第二热电偶组均位于炉芯组的外壁上，所述炉芯组的中部设置有容纳腔，所述炉
2023-06-15
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