一种高电阻率ITO靶材的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115159960A(43)申请公布日2022.10.11(21)申请号202210594915.4(22)申请日2022.05.27(71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司地址511500广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区(72)发明人王奇峰邵学亮李开杰李晴晴(74)专利代理机构清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙)44815专利代理师龚元元(51)Int.Cl.C04B35/01(2006.01)C04B35/622(2006.01)C23C14/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种高电阻率ITO靶材的制备方法(57)摘要本发明属于靶材回收再利用技术领域，公开了一种高电阻率ITO靶材的制备方法。所述制备方法包括将废ITO靶胚依次经破碎、粉碎、过筛，将所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂，再与氧化铟粉末进行混合球磨，得到一次球磨粉加入纯水混匀，造粒，过筛，然后在1450℃进行一次煅烧，将煅烧粉进行二次球磨，加入纯水混匀后造粒，过筛；将所得粉末进行压片成型，然后在1300～1550℃温度下进行烧结，得到ITO靶材。本发明方法直接将废弃的ITO靶胚转换为可以直接用于生产的ITO材料，具有过程简单、耗时短且绿色环保的优势，同时显著提升废靶胚中的金属回收率，减少资源的浪费并且降低生产成本。CN115159960ACN115159960A权利要求书1/1页1.一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：(1)将废ITO靶胚用破碎机进行破碎，然后用陶瓷粉碎机进行粉碎、过筛，得到废靶胚粉末；(2)将步骤(1)中所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂；(3)将步骤(2)热处理后的废靶胚粉末和氧化铟粉末进行混合球磨，得到一次球磨粉，然后加入纯水混匀，造粒，过筛；(4)将步骤(3)中经过造粒的粉末在1400～1500℃进行一次煅烧；(5)将步骤(4)的煅烧粉进行二次球磨，然后加入纯水混匀，造粒，过筛；(6)将步骤(5)处理后的粉末进行压片成型，然后在1300～1550℃温度下进行烧结，得到所述高电阻率ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述破碎后颗粒的粒径为1～5cm，所述粉碎、过筛是指过80目的筛网。3.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述热处理在马弗炉中进行，热处理时间控制在20～40h，热处理后C含量控制在50～100ppm。4.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述热处理后的废靶胚粉末中氧化铟占90wt％，废靶胚粉末和氧化铟粉末加入的质量比为1:1。5.根据权利要求4所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述混合球磨的转速为40～70rpm，球磨时间为6～10h。6.根据权利要求5所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述纯水的加入量为一次球磨粉质量的8％～10％；所述造粒是指在17～30Mpa压力下进行造粒，所述过筛是指过0.5mm筛。7.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述二次球磨的转速为40～70rpm，球磨时间为4～8h。8.根据权利要求7所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述纯水的加入量为二次球磨粉质量的5％；所述造粒是指在4～10Mpa压力下进行造粒，所述过筛是指过0.5mm筛。9.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述压片成型的尺寸为25*10mm。10.一种高电阻率ITO靶材，其特征在于，通过权利要求1～9任一项所述的方法制备得到。2CN115159960A说明书1/4页一种高电阻率ITO靶材的制备方法技术领域[0001]本发明属于靶材回收再利用技术领域，具体涉及一种高电阻率ITO靶材的制备方法。背景技术[0002]现今工业化生产的背景下，生产效益的提升不应仅局限于生产设备的更新，更应该对现有生产环节进行优化。ITO靶材生产过程中会产生大量的损耗，特别是在靶胚成型过程中，大量废靶胚的产生不仅降低了粉料的利用率，同时还增加了靶材的生产成本。而现有的回收技术通常是将废靶胚中的氧化物进行提纯从而进行二次生产。这种生产技术不仅增加了企业的生产成本，还会造成资源的浪费。[0003]专利CN113149611A公开了一种ITO废靶坯回收制备的ITO粉末、靶材及其制备方法，将CIP或CP后的ITO废靶坯进行粗破碎处理，然后进行精细粉碎