一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115092932A(43)申请公布日2022.09.23(21)申请号202210780398.X(22)申请日2022.07.04(71)申请人衡阳凯新特种材料科技有限公司地址421000湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区工业大道46号(72)发明人陈巨喜肖亮朱福林聂蓉(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403专利代理师李博瀚(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法(57)摘要本发明属于多晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法，包括底盘；设置于底盘上的多组电极，每个电极与底盘柔性连接；设置于底盘上的进气组件，进气组件包括多个进气支管；以及用于控制进气和/或控制电极通电的控制机构，控制机构通过称重传感器反馈信号控制进料阀开关和/或电极通电，由控制机构分析，能够及时发现异常情况，判断有硅棒产生“爆米花”，控制机构单独控制某个进料阀开关和/或电极通电，调整异常电极上硅棒的生长，不让此硅棒上的“爆米花”过分生长，使还原炉顶的气流场保持稳定；阻止出现“爆米花”的多晶硅棒继续生长，减少了整炉多晶硅棒产生“爆米花”，减少了原料和能源的浪费。CN115092932ACN115092932A权利要求书1/1页1.一种用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，包括：底盘(10)；设置于底盘(10)上的多组电极(20)，每个电极(20)与底盘(10)柔性连接；设置于底盘(10)上的进气组件(30)，所述进气组件(30)包括进气主管(31)及多个进气支管(32)，所述进气主管(31)与进气支管(32)之间设置缓冲腔(33)，所述进气主管(31)包括设置于缓冲腔(33)内的主进气喷嘴(34)；以及用于控制进气和/或控制电极(20)通电的控制机构，所述控制机构包括多个称重传感器(21)和多个进料阀(35)，每个称重传感器(21)对应设置于一个电极(20)的底部，每个进料阀(35)对应设置于一个进气支管(32)上；所述控制机构通过称重传感器(21)反馈信号控制进料阀(35)开关和/或电极(20)通电。2.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述底盘(10)包括多个环形凸起(11)，每个环形凸起(11)对应套住一个电极(20)，所述环形凸起(11)与电极(20)间隙配合，每个环形凸起(11)套设有至少一个阻挡盖(24)，所述阻挡盖(24)套设于电极(20)上，所述环形凸起(11)与阻挡盖(24)可在轴向上相对移动。3.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述主进气喷嘴(34)包括多个缓冲罩(341)，多个所述缓冲罩(341)沿着气流方向同轴分布，相邻两个缓冲罩(341)之间设置一组出料口(342)。4.根据权利要求3所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述缓冲罩(341)上开设若干周向分布的分散孔。5.根据权利要求3或4所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述缓冲罩(341)呈喇叭状。6.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述电极(20)套设有定心件(12)，所述定心件(12)包括与电极(20)滚动连接的滚珠(13)，所述定心件(12)嵌设于底盘(10)内。7.根据权利要求1或6所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述电极(20)包括设置于最外层的绝缘层(23)。8.根据权利要求7所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述绝缘层(23)由陶瓷材料制成。9.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的还原炉，其特征在于，所述控制机构还包括控制器及与每个电极(20)电连接的电源开关，所述控制器分别与称重传感器(21)、进料阀(35)、电源开关通信连接。10.一种根据权利要求1‑9任一项所述的用于生产多晶硅的还原炉的进料控制方法，其特征在于，生产过程中称重传感器(21)感应每个电极(20)的重量变化，并反馈到控制器中，当有一个或多个电极(20)的重量超过正常的变化规律的阈值出现，控制器控制与异常电极(20)最近的进料阀(35)关闭，或者控制器控制电源开关，使异常的电极(20)不通电，阻止异常电极(20)上的硅棒继续生长，来降低异常电极(20)上的硅棒上端的扰流。2CN115092932A说明书1/4页一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法技术领域[0001]本发明属于多晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法。背景技术[0002]多晶硅还原炉是西改良门子法生产多晶硅的核心设备之一，多晶硅还原炉中的进气管由一条进气主管以及多条与进气主管连接的进气支管组成