半导体结构的制备方法及半导体结构的制备装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115513143A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202211202621.9C23C16/04(2006.01)(22)申请日2022.09.29C23C16/50(2006.01)(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人王顺赵海波张伟(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师闫洁黄健(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L21/68(2006.01)C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称半导体结构的制备方法及半导体结构的制备装置(57)摘要本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构的制备装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构良率低的问题，该制备方法包括：提供晶圆，并从晶圆正面对晶圆进行图案化，以形成第一图案层；利用炉管的反应腔室内的支撑组件支撑于晶圆的背面，并将晶圆的第一图案层暴露于反应腔室内，其中，支撑组件的导热系数与反应腔室内的气体的导热系数一致，以使得晶圆的升温速率相同；对晶圆进行热的薄膜制程，以在第一图案层的图案之间形成薄膜层，薄膜层和第一图案层共同构成第二图案层；在第二图案层上形成第三图案层，其中，第三图案层的对准标记与第二图案层的对准标记对准。本申请能够改善半导体结构的套刻误差，提高半导体结构的良率。CN115513143ACN115513143A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆，并从所述晶圆正面对所述晶圆进行图案化，以形成第一图案层；利用炉管的反应腔室内的支撑组件支撑于所述晶圆的背面，并将所述晶圆的第一图案层暴露于所述反应腔室内，其中，所述支撑组件的导热系数与所述反应腔室内的气体的导热系数一致，以使得所述晶圆的升温速率相同；对所述晶圆进行热的薄膜制程，以在所述第一图案层的图案之间形成薄膜层，所述薄膜层和所述第一图案层共同构成第二图案层；在所述第二图案层上形成第三图案层，其中，所述第三图案层的对准标记与所述第二图案层的对准标记对准。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述支撑组件和所述气体的导热系数为0.031～0.2W/m.k。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述支撑组件的材质为气凝胶。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述气凝胶包括硅、碳、硫、金属氧化物中的至少一种。5.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述支撑组件以点状支撑接触方式支撑于所述晶圆背面的边缘区域。6.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述晶圆中的含氧量大于等于15ppm，小于等于25ppm。7.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一图案层包括有源区，所述薄膜层包括氧化硅层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三图案层包括字线、位线、电容、位线接触结构、电容接触结构中的至少一层。9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行热的薄膜制程的步骤中，包括：采用高密度等离子体化学气相沉积工艺或原位蒸汽生成工艺对晶圆进行热的薄膜制程。10.一种半导体结构的制备装置，其特征在于，包括炉管，所述炉管包括：反应腔室、晶舟和加热器；所述反应腔室具有进出口；所述晶舟位于所述反应腔室内，用于以支撑晶圆的背面方式承载晶圆，其中，所述晶舟上包括与所述反应腔室内的气体的导热系数一致的支撑组件，以使得所述晶圆的升温速率相同；所述加热器环绕设置于所述反应腔室内。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，所述支撑组件包括至少两个支撑件，至少两个所述支撑件间隔设置，并以点状支撑接触方式支撑于所述晶圆背面的边缘区域。12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，所述支撑组件包括三个支撑件，三个所述支撑件沿所述晶圆的周向均匀分布。2CN115513143A权利要求书2/2页13.根据权利要求11所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，所述晶圆的边缘区域的宽度为所述晶圆的边缘至所述晶圆的中心方向3cm～4cm。14.根据权利要求11所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，所述支撑件的用于支撑晶圆的支撑截面形状为圆形、椭圆形、正方形中的一种。15.根据权利要求14所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，所述支撑件用于支撑所述晶圆的支撑截面